[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

III-V族氮化物半导体已经被广泛应用于包括蓝色和绿色发光二极管(LED)的光学器件、高速开关器件(比如金属半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结场效应晶体管(HEMT)等)以及光源(比如照明或显示器件等)。

特别地，使用III族氮化物半导体的发光器件具有与可见光和紫外光之间的范围对应的直接跃迁带隙，实现了高效发光。

氮化物半导体主要用于LED或激光二极管(LD)。对改进制造工艺和光学效率的方法的研究正在进行中。

发明内容

技术问题

实施例提供了包括在发光结构的外侧的绝缘层的半导体发光器件及其制造方法。

实施例提供了包括沿着发光结构的外周的非有源区域的半导体发光器件及其制造方法。

实施例提供了包括用于将有源层划分为有源区域和非有源区域的绝缘层突出部的半导体发光器件及其制造方法。

实施例提供了包括在发光结构的非有源区域的外壁上的反射层的半导体发光器件及其制造方法。

实施例提供了包括沿着第一导电半导体层被暴露出的表面的金属环的半导体发光器件及其制造方法。

技术方案

一种实施例提供了半导体发光器件，其包括：包括第二导电半导体层、在第二导电半导体层下的有源层和在有源层下的第一导电半导体层的发光结构；具有在发光结构上的第一部分的电极层；以及沿着发光结构的顶表面的外周并在电极层的第二部分下的绝缘层，其中，绝缘层包括从绝缘层的下表面通过第二导电半导体层和有源层突出到所述第一导电半导体层的上部分中的突出部。

一种实施例提供了半导体发光器件，其包括：包括至少两个导电半导体层和在所述至少两个导电半导体层之间的有源层的发光结构；沿着发光结构的上部分的外周的、在有源层下暴露出所述至少两个导电半导体层之一的槽；在发光结构的靠外部分上并具有沿着发光结构的顶表面的外周被布置在所述槽内的突出部的绝缘层；在发光结构和绝缘层上的电极层；以及在电极层上的导电支持构件。

一种实施例提供了制造半导体发光器件的方法，其包括：形成包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电半导体层的发光结构；沿着第二导电半导体层的顶表面的外周的形成暴露出第一导电半导体层的上部分的蚀刻槽；在蚀刻槽中、在第二导电半导体层的外侧形成绝缘层；以及在第二导电半导体层上形成第二电极层。

在附图和以下描述中将说明一个或多个实施例的细节。根据描述和附图，以及根据权利要求，其它特征也显而易见。

有益效果

上述实施例中的一个或多个可提供耐潮的LED。

所述实施例中的一个或多个可通过形成沿着发光结构的外周并在槽中的绝缘层来增强半导体层和电极层之间的粘合强度。

所述实施例中的一个或多个不需要在发光结构的整个外壁上形成绝缘。

所述实施例中的一个或多个可通过在发光结构的外侧布置非有源区域来改进电可靠性。

所述实施例中的一个或多个可通过发光结构的外壁上的反射层来改进外部量子效率。

所述实施例中的一个或多个可通过在发光结构外周的周围布置金属环来改进电流分布。

所述实施例中的一个或多个可改进发光器件的可靠性。

附图说明

图1是说明根据第一实施例的半导体发光器件的截面图。

图2至图12是说明制造图1中的半导体发光的过程的视图。

图13是说明根据第二实施例的半导体发光器件的截面图。

图14是说明根据第三实施例的半导体发光器件的截面图。

图15至图22是说明制造图14中的半导体发光器件的过程的视图。

图23是说明根据第四实施例的半导体发光器件的截面图。

图24是说明根据第五实施例的半导体发光器件的截面图。

图25至图34是说明制造图24中的半导体发光器件的过程的视图。

图35是说明根据第六实施例的半导体发光器件的截面图。

图36是说明根据第七实施例的半导体发光器件的截面图。

图37是说明根据实施例的发光结构的另一示例的视图。

具体实施方式