[发明专利]发光器件封装有效

专利信息
申请号: 200980101104.9 申请日: 2009-08-31
公开(公告)号: CN101874311A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 朴炯兆 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;李春晖
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 器件 封装
【权利要求书】:

1.一种发光器件封装,包括:

基板,包括第一腔体和第二腔体,第一腔体具有第一深度以及相对于底表面倾斜的侧表面,第二腔体具有从第一腔体的底表面凹入的第二深度以及与第一腔体的底表面垂直的侧表面;

基板上的第一电极层和第二电极层;以及

第二腔体内的发光二极管,该发光二极管电连接到第一和第二电极层。

2.如权利要求1所述的发光器件封装,其中,发光二极管包括具有导电性的支持层、支持层上的发光层、以及发光层上的电极层。

3.如权利要求2所述的发光器件封装,其中,支持层与第一电极层接触并且电连接到第一电极层,该电极层通过线路电连接到第二电极层。

4.如权利要求2所述的发光器件封装,其中,在支持层与发光层之间设置含有Ag或Al的反射层。

5.如权利要求1所述的发光器件封装,其中,第二腔体的宽度大于发光二极管的宽度0.5%至10%。

6.如权利要求1所述的发光器件封装,其中,发光二极管的侧表面与第二腔体的侧表面隔开约2.5μm至约50μm的距离。

7.一种发光器件封装,包括:

基板,包括第一腔体和第二腔体,第一腔体具有第一深度,第二腔体具有从第一腔体的底表面凹入的第二深度;

第一腔体的一部分以及第二腔体的整个侧表面和底表面上的第一电极层;

第一腔体的一部分上的第二电极层;以及

第二腔体内的发光二极管,该发光二极管电连接到第一和第二电极层。

8.如权利要求7所述的发光器件封装,其中,发光二极管包括具有导电性的支持层、支持层上的发光层、以及发光层上的电极层。

9.如权利要求8所述的发光器件封装,其中,支持层与第一电极层接触并且电连接到第一电极层,该电极层通过线路电连接到第二电极层。

10.如权利要求8所述的发光器件封装,其中,发光二极管的一部分从第二腔体凸出,发光层设置在高于第一腔体底表面的位置处。

11.如权利要求7所述的发光器件封装,其中,第一腔体具有倾斜的侧表面,第二腔体具有竖直的侧表面。

12.一种发光器件封装,包括:

基板,包括第一腔体和第二腔体,第一腔体具有第一深度,第二腔体具有从第一腔体的底表面凹入的第二深度;

基板上的第一电极层和第二电极层,第一和第二电极层彼此电隔离;以及

第二腔体内的发光二极管,其一部分从第二腔体向外凸出的所述发光二极管电连接到第一和第二电极层。

13.如权利要求12所述的发光器件封装,其中,发光二极管包括具有导电性的支持层、支持层上的发光层、以及发光层上的电极层,以及

发光层设置在高于第一腔体底表面的位置处。

14.如权利要求12所述的发光器件封装,其中,第二腔体的宽度大于发光二极管的宽度0.5%至10%。

15.如权利要求12所述的发光器件封装,其中,第一电极层设置在第一腔体的一部分以及第二腔体的整个侧表面和底表面上,第二电极层设置在第一腔体的一部分上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980101104.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top