[发明专利]保护带粘贴方法和保护带粘贴装置无效
申请号: | 200980101473.8 | 申请日: | 2009-10-09 |
公开(公告)号: | CN101911280A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 西尾昭德;木内一之;山本雅之;石井直树 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 粘贴 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及在形成有电路图案的半导体晶圆的表面粘贴保护带的保护带粘贴方法和保护带粘贴装置。
背景技术
半导体晶圆(以下简称作“晶圆”)在其表面形成有电路图案。在利用背磨工序对该晶圆进行背面磨削而使该晶圆变薄之后,利用切割工序将晶圆切割为一个一个的芯片。近年来,随着高密度安装的要求,倾向于将晶圆厚度从100μm减薄至50μm、甚至50μm以下。
在利用背磨工序对晶圆进行薄化加工时,在晶圆的表面粘贴保护带。即,其目的是为了保护形成有电路图案的晶圆表面,并保护晶圆不受背磨工序中的磨削应力的破坏。
作为在晶圆表面粘贴保护带的方法,例如如下这样进行。在向表面朝上地吸附保持于吸盘台的半导体晶圆的上方供给使粘着面朝下的带状的保护带之后,使粘贴辊在保护带的表面滚动而将保护带粘贴在晶圆表面上。接着,通过使带切断装置的切刀刺入保护带而沿着晶圆外周移动,沿着晶圆外形切断所粘贴的保护带。将沿着晶圆外形切下的不要的带部分卷取并回收(参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2005-116711号公报
在表面粘贴保护带而被背磨加工至目标薄度的晶圆倾向于以其表面侧凹入的方式翘曲。例如,由于在粘贴辊按压滚动时使保护带弹性变形并延伸会引起积蓄应力,因此,晶圆会受到由该积蓄应力造成的翘曲的影响。另外,在晶圆表面存在聚酰亚胺等树脂膜的情况下,在背磨时产生的热量的影响下,导致树脂膜热收缩而产生晶圆表面侧凹入的翘曲等。
背磨处理后的带有保护带的晶圆在被输送到之后的各种处理工序的过程及各工序的处理过程中,自晶圆的表背面中的任一侧被吸附保持。因而,在如上所述那样晶圆表面侧凹入而较大地翘曲的情况下,存在由于晶圆的吸附不良而导致处理错误这样的问题。
发明内容
本发明是鉴于该情况而做成的,其主要目的在于提供一种能够抑制在经过了背磨工序的半导体晶圆中产生的翘曲的保护带粘贴方法和保护带粘贴装置。
本发明为了达到该目的而采取如下的构造。
即,一种保护带粘贴方法,其用于在形成有电路图案的半导体晶圆的表面粘贴保护带,其特征在于,在比常温低的温度下将上述保护带粘贴在半导体晶圆的表面。
作用、效果
采用该方法,保护带在被冷却到以比常温低的温度而预先热收缩的状态下粘贴在晶圆表面。之后,利用由背磨加工时的摩擦产生的热量的影响或者将晶圆置于常温,对预先热收缩的保护带施加利用由加热产生的热膨胀或者由于常温欲恢复为原本形状的恢复力。即,相对于在背磨加工后向作用于晶圆的表面侧凹入那样的翘曲,利用保护带的热膨胀或者恢复力对晶圆施加与该翘曲反向的翘曲。因而,在背磨之后产生翘曲的应力被由保护带新产生的应力抵消。结果,能够抑制晶圆翘曲。
在上述发明中,对用于保持上述半导体晶圆的吸盘台进行冷却,借助被冷却的半导体晶圆冷却保护带。
作用、效果
采用该方法,半导体晶圆起到冷热扩散板的作用,保护带在均匀地冷却的同时、被粘贴于半导体晶圆的表面。
在上述发明中,一边向上述保护带喷被冷却的气体、一边将保护带粘贴在半导体晶圆上。
在上述发明中,一边从收纳于保冷容器的材料卷抽出带状的上述保护带、一边将上述保护带粘贴于半导体晶圆。
作用、效果
采用这些上述方法,在粘贴于半导体晶圆之前积极地冷却保护带,能够将预先收缩的保护带粘贴于半导体晶圆。
另外,本发明为了达到该目的也采取如下构造。
即,一种保护带粘贴装置,其用于在形成有电路图案的半导体晶圆的表面粘贴保护带,其特征在于,包括:保持台,其用于载置保持上述半导体晶圆;带供给部件,其用于向保持于上述保持台的半导体晶圆的表面上供给保护带;带粘贴部件,其用于一边使粘贴辊在供给来的上述保护带上按压滚动,一边将该保护带粘贴在半导体晶圆的表面上;带切断部件,其用于沿着半导体晶圆的外周切下所粘贴的上述保护带;带回收部件,其用于回收切断后的不需要的带;带冷却部件,其用于对粘贴在上述半导体晶圆表面的保护带进行冷却。
作用、效果
采用该构造,保护带被积极地冷却,能够以预先收缩的状态粘贴在半导体晶圆的表面上。即,能够适当地实施上述发明而将保护带粘贴在半导体晶圆的表面上。
在上述构造中,上述带冷却部件是例如用于冷却上述吸盘台的部件。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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