[发明专利]导电粒子及导电粒子的制造方法无效
申请号: | 200980101721.9 | 申请日: | 2009-02-05 |
公开(公告)号: | CN101911214A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 高井健次;松泽光晴;永原忧子;赤井邦彦 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | H01B5/00 | 分类号: | H01B5/00;B22F1/02;H01B13/00;H01R11/01 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 粒子 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及导电粒子及导电粒子的制造方法。
背景技术
在液晶显示用玻璃面板上安装液晶驱动用IC的方式,可以大致分为两种:COG(Chip-on-Glass)安装和COF(Chip-on-Flex)安装。
COG安装中,使用含有导电粒子的各向异性导电性粘合剂,将液晶驱动用IC直接粘合在玻璃面板上。另一方面,COF安装中,将液晶驱动用IC与具有金属配线的柔性带连接,使用含有导电粒子的各向异性导电性粘合剂,将它们粘合在玻璃面板上。在此提及的各向异性,是指在加压方向导通而在非加压方向保持绝缘性。
随着近年的液晶显示的高精细化,作为液晶驱动用IC的电路电极的凸起实现了窄间距化和窄面积化,因此产生下述问题,各向异性导电性粘合剂的导电粒子向邻接的电路电极间流出,使短路发生。
另外,如果导电粒子向邻接的电路电极间流出,则产生下述问题,在凸起和玻璃面板之间所补足的各向异性导电性粘合剂中的导电粒子减少,对向的电路电极间的接触电阻升高,引起接触不良。
作为解决这些问题的方法,有下述两种方法:其一:如下述专利文献1所例示,通过在各向异性导电性粘合剂的至少一面形成绝缘性的粘合剂,防止COG安装或COF安装的接合质量的降低。其二:如下述专利文献2所例示,用绝缘性的薄膜覆盖导电粒子的整个表面。
下述专利文献3、4中,例示了用绝缘性的子粒子覆盖被金层覆盖的高分子聚合物的核粒子的方法。另外,下述专利文献4中,还例示了用具有巯基、硫醚基和二硫醚基的任一基团的化合物处理覆盖核粒子的金层的表面从而在金层的表面形成官能团的方法。使用该方法,能够在金层上形成牢固的官能团。
下述专利文献5中,作为一种提高导电粒子的导电性的尝试,例示了在树脂微粒上进行铜/金镀的方法。
专利文献6中,例示了一种具备非金属微粒,覆盖非金属微粒的、含有铜50重量%以上的金属层,覆盖金属层的镍层,和覆盖镍层的金层的导电粒子,并且具有下述记载,如果使用该导电粒子,则与由镍和金构成的一般的导电粒子相比,导电性良好。
专利文献7中,具有下述记载,一种具有基材微粒、和在所述基材微粒上设置的金属覆盖层的导电粒子,其特征在于,所述金属覆盖层中的金的含有率为90重量%以上且99重量%以下。
专利文献1:日本特开平08-279371号公报
专利文献2:日本专利第2794009号公报
专利文献3:日本专利第2748705号公报
专利文献4:国际公开第03/02955号小册子
专利文献5:日本特开2006-028438号公报
专利文献6:日本特开2001-155539号公报
专利文献7:日本特开2005-036265号公报
发明内容
但是,如上述专利文献1所示,使用在电路连接部件的一面形成绝缘性的粘合剂的方法中,在凸起面积小于3000μm2而窄小化的情况下,为了得到稳定的接触电阻,需要增加电路连接部件中的导电粒子。当如此增加导电粒子时,关于相邻电极间的绝缘性,仍然具有改善的余地。
另外,如上述专利文献2所示,为了改善相邻电极间的绝缘性而用绝缘性的薄膜覆盖导电粒子的整个表面的方法中,存在虽然电路电极间的绝缘性变高、但是导电粒子的导电性容易变低等课题。
另外,如上述专利文献3、4所示,用绝缘性的子粒子覆盖导电粒子表面的方法中,由于存在子粒子与核粒子的粘合性的问题,因此需要使用丙烯酸等树脂制的子粒子。这种情况下,通过热压接电路彼此时树脂制的子粒子熔融而使导电粒子接触两电路,在电路间获得导通。已知:此时,如果熔融的子粒子的树脂覆盖导电粒子的表面,则与用绝缘性的薄膜覆盖导电粒子的全部表面的方法同样,导电粒子的导电性容易变低。根据该理由,作为绝缘性的子粒子,适于使用无机氧化物等的硬度较高且熔融温度高的化合物。例如,专利文献4中,例示了用3-异氰酸酯基丙基三甲氧基硅烷处理二氧化硅表面、使在表面上具有异氰酸酯基的二氧化硅、与在表面上具有氨基的导电粒子反应的方法。
但是,用官能团修饰粒径为500nm以下的粒子的表面一般较为困难。另外,当用官能团修饰后进行离心分离和过滤时,容易发生二氧化硅等的无机氧化物凝集的问题。另外,如上述专利文献4所示的方法中,控制绝缘性的子粒子的覆盖率较为困难。
另外,用具有巯基、硫醚基和二硫醚基的任一基团的化合物处理金属表面的情况,如果在金属上存在微量的镍等的卑金属或铜等的易氧化的金属,则金属与化合物的反应难以进行。
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