[发明专利]加热的喷头组件

说明书

技术领域

本发明的实施例一般涉及一种加热的喷头组件。

背景技术

集成电路已演进成复杂组件，其可在单个芯片上包含数百万个部件(诸如，晶体管、电容、电阻及诸如此类者)。芯片设计的演进持续要求更快的电路及更大的电路密度。要求更大的电路密度需要缩减集成电路部件的尺寸。这种组件的特征结构的最小尺寸在技术中通常称为关键尺寸。该关键尺寸一般包含该特征结构的最小宽度，例如导线、柱体(column)、开口、导线间的间距及诸如此类者。

随着这些关键尺寸缩小，衬底上的处理均匀性对于维持高产量而言变得最为重要。集成电路制造中所使用的传统的等离子体蚀刻处理的一个问题是衬底上的蚀刻速度不均匀，这可能是因为，在某种程度上，将该处理气体朝排气口抽送并远离该衬底的真空泵。因为较容易从该腔室靠近该排气口的区域抽出气体(即该衬底的边缘)，该蚀刻气体遂被朝该排气口推送并远离该衬底，因此在设置在其内的衬底上产生不均匀蚀刻。此不均匀性可严重影响效能，并增加生产集成电路的成本。

因此，在技术中需要一种用来在集成电路制造期间均匀蚀刻材料层的设备

发明内容

本发明一般而言包含加热的喷头组件，其可用来供应处理气体至处理腔室。在一个实施例中，喷头含有喷头主体，其具有环绕第二区域的第一区域。该第一区域包含第一气室，设置在该主体的第一侧；一或多个第二气室，设置在该主体的第二侧；以及复数个第一孔，设置在复数个第一环状图案中，该复数个第一孔从该第一气室延伸至该一或多个第二气室。该第二区域包含第三气室，设置在该主体的该第一侧；一或多个第四气室，设置在该主体的该第二侧；以及复数个第二孔，设置在复数个第二环状图案中，该复数个第二孔从该第三气室延伸至该一或多个第四气室。

在另一实施例中，喷头组件包含第一气体扩散板，其具有第一侧、第二侧以及两个或多个区域，每一个区域皆具有从该第一侧延伸通过该第一气体扩散板至该第二侧的复数个第一孔；以及第二气体扩散板，其具有第三侧、第四侧、以及从该第三侧延伸通过该第二气体扩散板至该第四侧的复数个第二孔，其中该第二气体扩散板的第三侧与该第一气体扩散板的第二侧耦接，并且第二孔的数量超过第一孔的数量。

在另一实施例中，一种翻新喷头的方法包含将第一喷头主体从第二喷头主体拆下，清洁至少该第一喷头主体，以及接合该第一喷头主体至一第三喷头主体。该第一喷头主体具有环绕第二区域的第一区域。该第一区域包含第一气室，设置在该第一喷头主体的第一侧；一或多个第二气室，设置在该第一喷头主体的第二侧；以及复数个第一孔，设置在复数个第一环状图案中，该复数个第一孔从该第一气室延伸至该一或多个第二气室。该第二区域包含第三气室，设置在该第一喷头主体的该第一侧；一或多个第四气室，设置在该第一喷头主体的该第二侧；以及复数个第二孔，设置在复数个第二环状图案中，该复数个第二孔从该第三气室延伸至该一或多个第四气室。

附图说明

因此可以详细了解上述本发明的特征的方式，可参考实施例对简短地在前面概述过的本发明进行更明确的描述，其中某些实施例在附图中示出。但是应注意的是，附图仅示出本发明的一般实施例，因此不应视为对其范围的限制，因为本发明可允许其它等效实施例。

图1是根据本发明一个实施例的蚀刻设备的示意剖面图。

图2A是根据本发明一个实施例的喷头组件200的示意剖面图。

图2B是图2A的内部区域218的近观图。

图2C是该第一扩散板214和该第二扩散板216之间接口的近观图。

图2D是图2A所示的第一扩散板214的底部图。

图3是根据本发明一个实施例的喷头组件300的示意顶视图。

图4是根据本发明一个实施例的喷头组件400的示意底部图。

图5是示出根据本发明一个实施例的翻新理方法的处理步骤的流程图。

为了促进理解，在可能的情况下使用相同的符号来表示附图中共有的相同元件。预期到在一个实施例中揭示的元件可有益地用于其它实施例，而不需特别注明。

具体实施方式