[发明专利]半导体装置以及显示装置有效

专利信息
申请号: 200980102456.6 申请日: 2009-01-13
公开(公告)号: CN101911290A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 加藤达也;杉山拓也;千川保宪 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 以及 显示装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于:

包括绝缘膜、设在上述绝缘膜的一个面上的配线、设在上述配线上的半导体元件、设在上述绝缘膜的上述一个面的相反面上的散热部件,

将上述散热部件作为第1散热部件,该第1散热部件上形成有狭缝。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

在上述第1散热部件上的与上述半导体元件相对应的位置或者与上述半导体元件的周边相对应的位置或者与上述两者相对应的位置上形成上述狭缝。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

上述狭缝至少包括1个与上述半导体元件的一个边相平行的第1狭缝。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

上述狭缝至少包括1个第2狭缝,该第2狭缝位于上述第1散热部件上的与上述光导体元件的端部附近相对应的位置上,并且呈朝向上述第1散热部件的端部展开的扇形。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于:

上述第2狭缝由相互成直角关系的2个狭缝构成,并在该2个狭缝上分别加设狭缝,形成朝向上述第1散热部件的端部开口的正方形的第3狭缝。

6.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于:

上述狭缝具有由至少1个第1狭缝部和至少1个第2狭缝部组合而成的,并且相结合上述狭缝部而成的第4狭缝,其中,上述第1狭缝部是与上述半导体元件的一个边相平行的第1狭缝,上述第2狭缝部是与上述半导体元件的另一个边相平行的第1狭缝。

7.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

上述狭缝包括设在上述半导体元件的周围的第5狭缝。

8.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于:

上述狭缝包括至少2个互相隔开距离而设的具有由短部和长部构成的L形结构的第6狭缝,该第6狭缝是通过折曲上述第1狭缝的一端部构成该L形结构的短部而形成,将上述互相隔开距离而设的2个第6狭缝作为一组的情况下,形成该一组中的第6狭缝的各端部时,使一个第6狭缝的端部的L形结构的短部与另一个第6狭缝的端部的L形结构的短部相平行,并且,使上述一个第6狭缝的端部的L形结构的长部与上述另一个第6狭缝的端部的L形结构的长部相平行。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

以不分割上述第1散热部件的形式,上述狭缝上形成有缺口,或者,上述狭缝未形成到第1散热部件的端部位置上。

10.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

以上述半导体元件的中心线为轴,线对称地形成上述狭缝。

11.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于:

上述第1狭缝和最接近上述第1狭缝的上述半导体元件的一个边上的突块端面在水平方向上的距离为0.1mm以上2.0mm以下。

12.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

在上述第1散热部件的热膨胀大的部分加大上述狭缝的宽度,而在上述第1散热部件的热膨胀小的部分缩小上述狭缝的宽度。

13.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

从上述半导体装置的冲压部分的纵方向上的两端向其内侧,分别隔开0.5mm以上距离设定上述第1散热部件的纵向宽度。

14.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

上述第1散热部件只设置在上述绝缘膜的一个面的相反面上的与上述半导体元件及其周边相对应的位置上。

15.根据权利要求14所述的半导体装置,其特征在于:

在上述第1散热部件的周围还设置有与上述第1散热部件相接触的第2散热部件,

上述第2散热部件具有多个正方形或者圆形的,贯通到上述绝缘膜的孔状的开口部,

纵横排列上述开口部,并使相邻接的开口部之间保持一定距离。

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