[发明专利]用于感测检测元件电流和/或该检测元件中的温度的电子电路装置

权利要求书

1.一种用于感测通过检测元件(D3、D4)的检测元件电流(i_D3)和/或所述检测元件(D3、D4)中的温度的电子电路装置，其中所述检测元件(D3、D4)的第一连接被连接到第一晶体管元件(Q1)，所述检测元件(D3、D4)的第二连接被连接到第二晶体管元件(Q2)，其特征在于，所述第一和第二晶体管元件(Q1、Q2)的基极连接直接或间接地彼此连接，以及所述第二晶体管元件(Q2)提供和/或调制电评估信号(i_CQ2)，所述电评估信号的信号值直接或间接至少依赖于所述检测元件电流(i_D3)和/或所述检测元件(D3、D4)中的所述温度。

2.根据权利要求1的电路装置，其特征在于，所述检测元件(D3、D4)为半导体部件，特别地，FET(FET1)的体效应二极管。

3.根据权利要求2的电路装置，其特征在于，所述检测元件(D3)的形式为设置在具有感性负载(L1)的公共电路网中的续流二极管，所述感性负载(L1)的形式特别地为气门线圈和/或马达。

4.根据权利要求1到3中的至少一项的电路装置，其特征在于，所述第一和第二晶体管元件(Q1、Q2)每一个的发射极连接被连接到所述检测元件(D3、D4)，以及所述电评估信号(i_CQ2)特别地为评估电流，该评估电流的安培值至少从通过所述第二晶体管元件(Q2)放大的所述检测元件电流(i_D3)的一部分来获得。

5.根据权利要求1到4中的至少一项的电路装置，其特征在于，跨所述检测元件(D3、D4)的电压降(U_D3、U_D4)通过所述第一和第二晶体管元件(Q1、Q2)而被镜像映射在镜像电阻器(R2)上，使得所述镜像电阻器(R2)具有跨其自身的与所述检测元件(D3、D4)相同的电压量值(U_diff)。

6.根据权利要求1到5中的至少一项的电路装置，其特征在于，所述第一和第二晶体管元件(Q1、Q2)均通过用于解耦合的二极管元件(D1、D2)被连接到所述检测元件(D3、D4)，其中特别地在每一种情况下所述二极管元件(D1、D2)沿从所述检测元件(D3、D4)到所述第一和第二晶体管元件(Q1、Q2)的方向处于阻断形式。

7.根据权利要求6的电路装置，其特征在于，所述二极管元件(D1、D2)每一个为二极管的形式或为晶体管元件的二极管路径的形式，其中所述二极管元件(D1、D2)彼此耦合，特别为热耦合。

8.根据权利要求1到7中的至少一项的电路装置，其特征在于，所述检测元件(D3)的形式为半导体开关元件或半导体开关元件(FET1)的一部分，所述半导体开关元件的形式为电子脉宽调制气门致动电路中的再循环路径的驱动器元件。

9.根据权利要求8的电路装置，其特征在于，所述评估信号(i_CQ2)被提供到致动所述半导体开关元件(FET1)的致动电路(1)。

10.根据权利要求9的电路装置，其特征在于，所述致动电路(1)包括触发器，特别地，RS型触发器。

11.根据权利要求9或10的电路装置，其特征在于，所述致动电路(1)包括保持电路(2)和重设电路(3)。

12.根据权利要求9到11中的至少一项的电路装置，其特征在于，所述致动电路(1)基于PWM调整的PWM开启信号(U_rect)和/或PWM关断信号来致动，其中所述重设电路(3)特别地通过所述PWM开启信号(U_rect)致动，该致动结束所述保持电路的保持状态。

13.根据权利要求3到12中的至少一项的电路装置，其特征在于，通过电流调整器致动所述感性负载(L1)，其中所述负载电流通过阶降控制器被降低到低于电源电压的电压电势。

14.根据权利要求1到13中的至少一项的电路装置，其特征在于，所述第一和第二晶体管元件(Q1、Q2)彼此热耦合。