[发明专利]用于感测检测元件电流和/或该检测元件中的温度的电子电路装置无效

专利信息
申请号: 200980103134.3 申请日: 2009-01-23
公开(公告)号: CN102016510A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: M·库茨纳;T·翁格尔 申请(专利权)人: 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司
主分类号: G01D3/028 分类号: G01D3/028
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 杨晓光;周良玉
地址: 德国法*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 检测 元件 电流 中的 温度 电子电路 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及根据权利要求1的前序部分的电子电路装置、用于电流感测的方法、用于感测温度的方法以及该电路装置在机动车中的使用。

背景技术

在电子制动控制器领域,通过半导体开关元件以钟控(clocked)方式(PWM致动)来致动诸如气门(valve)线圈或泵马达之类的感性负载(inductive load)。需要建立适宜的负载致动电路,使得在再循环阶段中产生的续流(freewheeling)电流基于负载电感而流动。为了该目的,半导体开关元件具有续流二极管。已经发现有利的是,至少在再循环阶段期间如果超过了限定的续流电流,则将半导体开关元件切换到低阻抗,作为其结果,PWM的电切换损失将保持相对较低。

为了能够实现该类型的有源续流元件,需要确定用于实现续流元件的续流二极管中或在检测元件中的电流。

此外,经常需要感测电子电路中的检测元件(特别地,续流二极管)中的温度。

发明内容

本发明的目的为提出一种用于感测通过检测元件的检测元件电流和/或所述检测元件中的温度的电子电路装置,该目的的意图为相对廉价。

本发明通过根据权利要求1的电子电路装置和根据权利要求15和16的方法来实现该目的。

替代地,第一和第二晶体管元件的形式为双极晶体管元件或FET,特别地,JFET。

优选地,感测通过所述检测元件的检测元件电流被理解为对所述检测元件电流的测量,特别是当基本上了解所述检测元件的温度时,和/或当所述检测元件电流超过限定的电流阈值时进行感测。

优选地,感测检测元件中的温度被理解为对温度的测量,特别是当基本上了解检测元件电流时,和/或当超过所述检测元件中的限定的温度阈值时进行感测。

优选地,电流/电压特性还被理解为示出了电流和/或电压的温度依赖性的特性或多种特性,并因此包括一段温度依赖性信息。

所述电子电路装置优选提供电评估信号作为跨所述检测元件的电压的“放大”测量电流。

所述检测元件优选为半导体部件,特别地,FET的体效应二极管(bulk diode)或体二极管。

优选地,所述检测元件的形式为设置在具有感性负载的公共电路网中的续流二极管,并且所述感应性负载的形式特别地为气门线圈和/或马达,特别优选地为泵马达的形式。

替代地,所述检测元件的形式优选为极性反转保护二极管。在该情况下,特别地,旨在通过根据本发明的电路装置感测其温度和/或可能的短路电流。

优选地,所述检测元件的形式为有源续流元件,特别地,用于感性负载。

优选地,第一和第二晶体管元件每一个的发射极连接和源极连接被连接到所述检测元件,并且所述电评估信号特别地为评估电流,其安培值至少从通过所述第二晶体管元件放大的所述检测元件电流的一部分来获得。在该情况下,评估电流特别优选地为所述第二晶体管元件的集电极电流或漏极电流。

优选地,跨所述检测元件的电压降通过所述第一和第二晶体管元件而镜像映射在镜像电阻器上,使得所述镜像电阻器基本上具有跨其自身的与所述检测元件相同的电压量值。

优选地,所述第一和第二晶体管元件均通过用于解耦合的二极管元件被连接到所述检测元件,其中特别地在每一种情况下所述二极管元件沿从所述检测元件到所述第一和第二晶体管元件的方向处于阻断形式或布置。特别优选地,所述二极管元件为二极管的形式或为晶体管元件的二极管路径的形式,其中特别优选地,所述二极管元件彼此热耦合。

优选地,所述检测元件的形式为半导体开关元件或半导体开关元件的一部分,特别地,所述半导体开关元件的形式为电子脉宽调制气门致动电路中的再循环路径的驱动器元件。

优选地,所述评估信号被提供到致动所述半导体开关元件的致动电路。特别地,所述致动电路包括触发器,特别优选地,RS型触发器。

优选地,所述致动器基于所述评估信号和/或通过所述感性负载的负载电流来致动有源承载续流电流的所述半导体开关元件。在该情况下,特别地,当超过限定的检测元件电流和/或通过所述感性负载的限定的负载电流时,开启所述半导体开关元件。

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