[发明专利]固体摄像装置以及包括其的X射线CT装置有效
申请号: | 200980103667.1 | 申请日: | 2009-01-23 |
公开(公告)号: | CN101933143A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 藤田一树;森治通;久嶋龙次;本田真彦 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B6/00;G01T1/20;G01T1/24;H01L27/14;H01L31/04;H04N5/32;H04N5/335 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 以及 包括 射线 ct | ||
1.一种固体摄像装置,其特征在于,
具备:受光部,其具有以构成M(2以上的整数)行N(2以上的整数)列的矩阵的方式二维排列的M×N个像素部P1,1~PM,N,且所述像素部P1,1~PM,N分别包含产生对应于入射光强度的量的电荷的光电二极管和连接于该光电二极管的读取用开关,
所述受光部中的像素部Pm,n(m是1以上M以下的整数,n是1以上N以下的整数)所包含的光电二极管,由第1导电型的第1半导体区域和形成在该第1半导体区域上的第2导电型的第2半导体区域所构成,
所述受光部具有:通道停止器,其设置于分别由所述像素部P1,1~PM,N所夹的区域,且由杂质浓度比所述第1半导体区域高的第1导电型的第3半导体区域所构成,并且
所述受光部包含:第1虚拟用光电二极管,其在由所述通道停止器所包围的状态下设置在由所述像素部P1,1~PM,N中彼此邻接的任意的2×2个像素部所包围的区域,且由所述第1半导体区域和形成在该第1半导体区域上的第2导电型的第4半导体区域所构成。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述受光部还包含:第2虚拟用光电二极管,其在由所述通道停止器所包围的状态下设置在由所述像素部P1,1~PM,N中彼此邻接的任意的2个像素部所包围的区域,且由所述第1半导体区域和形成在该第1半导体区域上的第2导电型的第5半导体区域所构成。
3.一种X射线CT装置,其特征在于,
包含:
X射线输出部,其朝向被照物输出X射线;
如权利要求1或者2所述的固体摄像装置,其接收从所述X射线输出部输出并经由所述被照物而到达的X射线而进行摄像;
移动机构,使所述X射线输出部以及所述固体摄像装置相对于所述被照物相对移动;以及
图像解析部,输入从所述固体摄像装置输出的帧数据,并基于该帧资料而生成所述被照物的断层图像。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社,未经浜松光子学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980103667.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体元件及其制造方法
- 下一篇:在应急系统中使用纳米颗粒的核电站及相关方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的