[发明专利]用于制造电子器件的方法和电子器件

权利要求书

1.一种用于制造电子器件的方法，该电子器件具有用于封装该器件的阻挡层，该方法具有如下步骤：

-提供具有至少一个功能层(22)的衬底(1)，

-借助于等离子体增强原子层沉积(PEALD)将至少一个第一阻挡层(3)涂覆在功能层(22)上，以及

-借助于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将至少一个第二阻挡层(4)涂覆在功能层(22)上。

2.根据权利要求1所述的方法，具有另一步骤：

-在第一和第二阻挡层(3，4)上涂覆保护层(5)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

-保护层(5)具有喷漆。

4.根据前述权利要求之一所述的方法，其中

-在提供具有至少一个功能层(22)的衬底(1)时，在衬底(1)上涂覆第一电极(21)并且在至少一个功能层(22)上涂覆第二电极(23)，

-功能层(22)包括有机功能层，以及

-将第一阻挡层(3)涂覆在第二电极(23)上。

5.根据前述权利要求之一所述的方法，其中

-第一阻挡层(3)和/或第二阻挡层(4)包括氧化物、氮化物或者氮氧化物。

6.根据前述权利要求之一所述的方法，其中

-将由至少两个具有不同材料的层(41，42)构成的层序列作为第二阻挡层(4)来涂覆。

7.根据前述权利要求之一所述的方法，其中

-所述至少两个具有不同材料的层(41，42)包括具有氧化物的层和具有氮化物的层。

8.根据前述权利要求之一所述的方法，其中

-涂覆至少一个另外的第一阻挡层(3′)和/或至少一个另外的第二阻挡层(4′)。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中

-交替地彼此相叠地涂覆第一和第二阻挡层(3，3′，4，4′)。

10.根据前述权利要求之一所述的方法，其中

-在第一阻挡层(3)之前涂覆第二阻挡层(4)。

11.根据前述权利要求之一所述的方法，其中

-在小于120℃的温度下涂覆至少一个第一阻挡层(3)和至少一个第二阻挡层(4)。

12.根据前述权利要求之一所述的方法，其中

-至少一个第一阻挡层(3)具有大于或等于10nm并且小于或等于30nm的厚度。

13.根据前述权利要求之一所述的方法，其中

-至少一个第二阻挡层(4)具有大于或等于100nm并且小于或等于1000nm的厚度。

14.根据前述权利要求之一所述的方法，其中

-所述电子器件包括发光有机二极管(OLED)和/或太阳能电池。

15.一种有机光电器件，能够借助于根据权利要求1至14之一所述的方法来制造。