[发明专利]用于制造电子器件的方法和电子器件

说明书

本专利申请要求德国专利申请10 2008 006 721.0、德国专利申请10 2008 019 900.1、德国专利申请10 2008 031 405.6以及德国专利申请10 2008 048 472.5的优先权，所述德国专利申请的公开内容通过引用结合于此。

技术领域

所说明的是一种用于制造电子器件的方法和一种电子器件。

背景技术

对于诸如无机发光二极管(LED)或者有机发光二极管(OLED)之类的电子器件的持续运行来说，通常需要保护该电子器件免受湿气的侵害。尤其是可能需要，进行包括该器件的使用寿命测试，以确保该器件在多年的日常使用中可以保持其功能。

发明内容

因此，至少一个实施方式的任务是，说明一种用于制造具有封装的电子器件的方法。此外，至少一个实施方式的任务是，说明一种具有封装的电子器件。

这些任务通过独立权利要求的方法和主题来解决。所述方法和主题的有利实施方式和扩展方案在从属权利要求中表明并且此外从以下描述和附图中得出。

根据一种实施方式的用于制造具有阻挡层的电子器件的方法尤其包括如下步骤，其中所述阻挡层用于封装该器件：

-提供具有至少一个功能层的衬底，

-借助于等离子体增强原子层沉积(PEALD)将至少一个第一阻挡层涂覆在功能层上，以及

-借助于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将至少一个第二阻挡层涂覆在功能层上。

在这里和在下文中，第一层或者第一元件布置在或者涂覆在第二层或者第二元件“上”或者“上方”或者布置在或者涂覆在两个另外的层或元件“之间”可以表示，第一层或者第一元件被直接布置为在第二层或者第二元件上或与两个另外的层或元件进行直接的机械和/或电接触。此外，也可以表示间接接触，其中另外的层和/或元件被布置在第一层或第一元件与第二层或第二元件之间或在两个另外的层或元件之间。

在此，化学气相沉积(“chemical vapor deposition”，CVD)可以表示如下方法，其中在所提供的具有至少一个功能层的衬底的至少一个表面上，至少两种气态初始化合物发生反应生成一种固态的反应产物。在此可以将该至少两种气态初始化合物同时输送给其中提供衬底的空间(Volume)。此外，可能需要将所提供的具有至少一个功能层的衬底的至少一个表面加热到高于室温的温度。

等离子体增强化学气相沉积(“plasma enhanced chemical vapordeposition”，PECVD)可以表示如下CVD方法，其中在所述空间中生成等离子体，由此可以在等离子体中激励被输送到该空间中的至少两种气态初始化合物。由此，与无等离子体的CVD方法相比，所述至少一个表面必须被加热到的温度可以降低。这可能尤其是有利的，因为在温度高于一个最大温度时可能不可逆地损害所述至少一个功能层。所述最大温度例如可以是大约120℃，从而涂覆第二阻挡层时的温度可以小于120℃并且优选地小于或等于80℃。

原子层沉积(“atomic layer deposition”，ALD)可以表示如下方法，其中与CVD方法相比首先将至少两种气态初始化合物中的第一种输送给其中提供衬底的空间，并且该第一气态初始化合物可以吸附在所述至少一个表面上。在优选用第一初始化合物完全覆盖或者几乎完全覆盖所述至少一个表面之后，第一初始化合物的仍以气态存在和/或没有吸附在所述表面上的部分又可以从所述空间中移除并且可以输送所述至少两种初始化合物中的第二种。该第二初始化合物可以与在所述至少一个表面上吸附的第一初始化合物反应以形成一个固态层。如在CVD方法中那样，如果将所述至少一个表面加热到高于室温的温度，则可以是有利的。

等离子体增强原子层沉积(“plasma enhanced atomic layerdeposition”，PEALD)可以表示如下ALD方法，其中在生成等离子体的同时输送第二初始化合物，由此可以如在PECVD方法中那样激励第二初始化合物。由此，与无等离子体的ALD方法相比，所述至少一个表面被加热到的温度可以降低。在此，第一阻挡层例如可以在小于120℃并且优选小于或等于80℃的温度下被涂覆。为了生成另一固体层，可以重复输送第一初始化合物并且之后输送第二初始化合物的步骤。