[发明专利]陶瓷多层基板的制造方法及陶瓷多层基板

权利要求书

1.一种陶瓷多层基板的制造方法，

通过对陶瓷生片层叠体和芯片型陶瓷电子元器件同时进行烧成，从而制造内置芯片型陶瓷电子元器件的陶瓷多层基板，所述陶瓷生片层叠体由多层陶瓷生片层层叠而成并具有导体图案，所述芯片型陶瓷电子元器件具有陶瓷烧结体和端子电极，且配置于所述陶瓷生片层叠体的内部，并且所述端子电极与所述导体图案电连接，其特征在于，

包含以下两个工序：

第一工序，该第一工序在所述陶瓷生片层的与所述芯片型陶瓷电子元器件相接的部位形成紧贴防止剂层；以及

第二工序，该第二工序对所述陶瓷生片层叠体和所述芯片型陶瓷电子元器件进行烧成来烧去所述紧贴防止剂层。

2.如权利要求1所述的陶瓷多层基板的制造方法，其特征在于，

包含在所述芯片型陶瓷电子元器件的两面配置所述紧贴防止剂层的工序。

3.如权利要求1或2所述的陶瓷多层基板的制造方法，其特征在于，

所述紧贴防止剂是树脂糊料，在所述第一工序中，将所述树脂糊料涂布在所述陶瓷生片层上。

4.如权利要求1或2所述的陶瓷多层基板的制造方法，其特征在于，

所述紧贴防止剂包含在低氧气氛中不被烧去而在高氧气氛中被烧去的烧去材料，

在所述第一工序中，将由所述烧去材料构成的糊料涂布到所述陶瓷生片层上，

在所述第二工序中，在低氧气氛中对所述陶瓷生片层叠体和所述芯片型陶瓷电子元器件进行烧成后，再次在高氧气氛中对所述陶瓷生片层叠体和所述芯片型陶瓷电子元器件进行烧成，从而使所述烧去材料烧去。

5.如权利要求4所述的陶瓷多层基板的制造方法，其特征在于，

所述烧去材料是碳。

6.如权利要求1至5的任一项所述的陶瓷多层基板的制造方法，其特征在于，

包含在所述紧贴防止剂层的与所述芯片型陶瓷电子元器件的端子电极重叠的部位形成过孔、并向所述过孔填充导电性糊料的工序。

7.如权利要求1至6的任一项所述的陶瓷多层基板的制造方法，其特征在于，

在所述陶瓷生片层叠体的至少一个主面配置了由在所述陶瓷生片层叠体的烧成温度下不烧结的无机材料构成的约束层的状态下，对所述陶瓷生片层叠体和所述芯片型陶瓷电子元器件进行烧成。

8.如权利要求1至7的任一项所述的陶瓷多层基板的制造方法，其特征在于，

所述陶瓷生片层叠体的烧结体的热膨胀系数和构成所述芯片型陶瓷电子元器件的陶瓷烧结体的热膨胀系数实质上相等。

9.一种陶瓷多层基板，

包括：陶瓷层叠体，该陶瓷层叠体由多层陶瓷层层叠而成且具有导体图案；以及芯片型陶瓷电子元器件，该芯片型陶瓷电子元器件设置于上下陶瓷层的界面且具有与陶瓷烧结体及所述导体图案电连接的端子电极，其特征在于，

在所述陶瓷层和所述芯片型陶瓷电子元器件的界面存在空隙，并且，

所述芯片型陶瓷电子元器件的端子电极和所述导体图案通过形成于所述空隙的突起电极来进行电连接。

10.如权利要求9所述的陶瓷多层基板，其特征在于，

所述突起电极直接与和所述空隙相接的陶瓷层中形成的过孔导体相连接。

11.如权利要求9或10所述的陶瓷多层基板，其特征在于，

将所述芯片型陶瓷电子元器件的端子电极沿所述陶瓷层的层叠方向隔开间隔而配置。

12.如权利要求9至11的任一项所述的陶瓷多层基板，其特征在于，

所述突起电极由富有延展性的材料形成。

13.如权利要求12所述的陶瓷多层基板，其特征在于，

所述富有延展性的材料是银。