[发明专利]具有受控形态的掺杂二氧化铈研磨剂及其制备

权利要求书

1.比表面积为10到120m²/g的钇掺杂的二氧化铈颗粒，其特征在于，至少95wt％、优选至少99wt％的颗粒是单晶的，并且在于所述颗粒的表面包含超过70％、优选超过80％的与{111}面平行的面。

2.权利要求1所述的钇掺杂的二氧化铈颗粒，其特征在于，所述颗粒包含相对于总金属含量0.1到15原子％的掺杂元素。

3.权利要求1或2所述的钇掺杂的二氧化铈颗粒，其特征在于，所述颗粒进一步包含不可避免的杂质。

4.权利要求1到3中任一项所述的钇掺杂的二氧化铈颗粒用于制备包含分散体、悬浮体和浆体之一的流体混合物的用途。

5.包含权利要求1到4中任一项所述的钇掺杂的二氧化铈颗粒的流体混合物。

6.用于合成权利要求1到3中任一项所述的钇掺杂的二氧化铈颗粒的气相方法，包括如下步骤：

-提供热气流；和，

-向所述气流中引入含铈反应物、含钇反应物和含氧反应物；

选择所述气流的温度以雾化所述反应物，选择所述反应物以在冷却时形成钇掺杂的二氧化铈颗粒。

7.权利要求6所述的方法，其特征在于，所述含铈反应物包括铈的氯化物、碳酸盐、氧化物、硫酸盐、硝酸盐、乙酸盐和有机金属铈化合物中的一种或者多种。

8.权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述含钇反应物包括钇的氯化物、碳酸盐、氧化物、硫酸盐、硝酸盐、乙酸盐和有机金属钇化合物中的一种或者多种。

9.权利要求6到8中任一项所述的方法，其特征在于，所述含氧反应物被包含在含铈反应物和含钇反应物之一或者二者中。

10.权利要求6到9中任一项所述的方法，其特征在于，所述热气流是通过气体燃烧器、热壁反应器、射频或直流电弧等离子体中之一产生的。

11.权利要求6到10中任一项所述的方法，其特征在于，在所述气流中形成掺杂钇的二氧化铈颗粒后，骤冷所述气流。

12.用于抛光基材的方法，包括如下步骤：

-提供CMP设备，所述CMP设备包括基材载体、旋转抛光垫和用于将研磨剂浆料供给至抛光垫上的装置；

-将待抛光的基材置于所述基材载体上；

-将所述基材压向所述旋转抛光垫；和，

-将足量的研磨剂浆料供给至所述抛光垫上；

其特征在于，所述研磨剂浆料是根据权利要求5所述的流体混合物。

13.权利要求12所述的方法，其特征在于，所述基材包括二氧化硅、氮化硅、铜、铜阻障和钨中的一种或多种物质的涂层，或者包含类玻璃表面。