[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

包括多个化合物半导体层的发光结构；

在所述发光结构外部的钝化层；

在所述发光结构上的第一电极层；和

在所述发光结构下的第二电极层。

2.权利要求1的半导体发光器件，其中所述发光结构包括：

在所述第二电极层上的第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层上的有源层；和

在所述有源层和所述第一电极层之间的第二导电半导体层。

3.权利要求2的半导体发光器件，包括：在所述第一电极层和所述第二导电半导体层之间的第一欧姆接触层、以及在所述第二电极层和所述第一导电半导体层之间的第二欧姆接触层中的至少之一。

4.权利要求2的半导体发光器件，包括：在所述第二导电半导体层和所述第一电极层之间的透射导电层。

5.权利要求1的半导体发光器件，其中所述钝化层包括：

在所述发光结构的顶表面的外围部周围的第一钝化层；和

在所述发光结构的外壁上并且在所述发光结构的底表面的外围部周围的第二钝化层。

6.权利要求1的半导体发光器件，其中所述第一电极层和所述第二电极层中的至少之一包括多个开口部。

7.权利要求6的半导体发光器件，包括：

在所述第一电极层上的包括开口部的第一导电支撑构件；和

在所述第二电极层下的包括开口部的第二导电支撑构件。

8.权利要求6的半导体发光器件，其中所述开口部具有矩阵图案或者条纹图案。

9.权利要求6的半导体发光器件，其中所述开口部形成在所述第一电极层和所述第二电极层的内部区域处，并且由透射材料形成。

10.权利要求1的半导体发光器件，其中所述第一电极层和所述第二电极层与所述发光结构的外围部电接触，并且包括在所述第一电极层和所述第二电极层的内部区域处形成的单个开口部。

11.一种半导体发光器件，包括：

包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层、和在所述有源层上的第二导电半导体层的发光结构；

在所述第二导电半导体层上的包括第一开口部的第一电极层；

在所述第一电极层上的包括所述第一开口部的第一导电支撑构件；

在所述第一导电半导体层下的第二电极层；和

在所述第二电极层下的第二导电支撑构件。

12.权利要求11的半导体发光器件，其中在所述第二电极层和所述第二导电支撑构件中形成至少一个第二开口部。

13.权利要求12的半导体发光器件，其中在所述第一电极层和所述第一导电支撑构件中形成至少一个第一开口部。

14.权利要求12的半导体发光器件，包括在所述发光结构的外围部周围的钝化层，其中所述第一导电支撑构件、所述第二导电支撑构件和所述钝化层的外侧表面布置在相同平面上。

15.一种用于制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成包括多个化合物半导体层的发光结构；

在所述发光结构上形成具有第一开口部的第一电极层；

在所述第一电极层上形成具有所述第一开口部的第一导电支撑构件；

将在所述发光结构下的衬底移除；

在所述发光结构的外围部周围形成钝化层；

在所述发光结构下形成具有第二开口部的第二电极层；和

在所述第二电极层下形成具有所述第二开口部的第二导电支撑构件。