[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

实施方案涉及半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而作为发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的核心材料受到关注。III-V族氮化物半导体主要包括具有组成式为In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。

LED是一种半导体器件，其通过利用化合物半导体的特性将电转化成红外线或光来传输/接收信号并用作光源。

使用这种氮化物半导体的LED和LD主要用于发光器件以获得光，并作为光源用于各种装置(例如移动电话键盘板的发光部件、电子公告牌、照明装置)。

发明内容

技术问题

实施方案提供一种半导体发光器件，包括：在发光结构上/下提供的反射电极层。

实施方案提供一种半导体发光器件，包括：在发光结构上/下的具有多个开口的电极部。

实施方案提供一种半导体发光器件，其中通过在发光结构外部提供钝化层，芯片可以不使用导线通过四个侧壁或360度的角度来进行管芯接合。

技术解决方案

一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：包括多个化合物半导体层的发光结构；在发光结构外部的钝化层；在发光结构上的第一电极层；和在发光结构下的第二电极层。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、和在有源层上的第二导电半导体层的发光结构；在第二导电半导体层上的包括第一开口部的第一电极层；在第一电极层上的包括第一开口部的第一导电支撑构件；在第一导电半导体层下的第二电极层；和在第二电极层下的第二导电支撑构件。

一个实施方案提供一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成包括多个化合物半导体层的发光结构；在发光结构上形成具有第一开口部的第一电极层；在第一电极层上形成具有第一开口部的第一导电支撑构件；移除在发光结构下的衬底；在发光结构的外围部周围形成钝化层；在发光结构下形成具有第二开口部的第二电极层；和在第二电极层下形成具有第二开口部的第二导电支撑构件。

以下附图和说明书中阐述一个或更多个实施方案的细节。其它特征可通过说明书和附图以及权利要求而明显。

有益效果

根据实施方案，发光器件可通过其四个侧壁或者选自四个侧壁中的一个侧壁在360°角度内进行封装。

实施方案可提供适用于侧封装或者顶封装的垂直型发光器件。

实施方案可提供能够沿着六个横向方向发光的垂直型发光器件。

根据实施方案，发光器件不需要垫。

根据实施方案，不使用导线，从而不会出现由导线所导致的光干涉。

附图说明

图1是显示根据第一实施方案的半导体发光器件的透视图。

图2是图1的侧视图。

图3至11是显示根据第一实施方案的半导体发光器件的制造工艺的图。

图12是显示根据第二实施方案的半导体发光器件的侧视图。

图13是显示根据第三实施方案的半导体发光器件的侧视图。

实施发明的最优模式

在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或结构称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或者“下”时，其可以“直接”或者“间接”地在其它衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者可以存在一个或更多个中间层。层的这种位置已经结合附图进行描述。下文中，实施方案将结合附图进行描述。在对实施方案的描述中，附图中所示的组件的尺寸仅仅用于说明性的目的，而实施方案不限于此。

图1是显示根据第一实施方案的半导体发光器件的透视图，图2是图1的侧视图

参照图1和2，半导体发光器件100包括：发光结构135、第一钝化层140、第二钝化层170、第一电极层150、第二电极层152、第一导电支撑构件160和第二导电支撑构件162。

半导体发光器件100可以利用包含III-V族元素的化合物半导体的发光二极管(LED)来实现。LED可以是发射蓝色光、绿色光或红色光的彩色LED或者紫外(UV)LED。在本实施方案的技术范围内可以使用各种LED。

发光结构135包括：第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130。