[发明专利]双掩模自对准双图案化技术(SaDPT)工艺

权利要求书

1.一种用于在蚀刻层上方图案化特征的方法，包括：

在无机掩模层上方形成有机掩模层；

在该有机掩模层上方形成含硅掩模层；

在该含硅掩模层上方形成图案化掩模层；

通过该图案化光刻胶掩模蚀刻该含硅掩模层；

在该被蚀刻含硅掩模层上方沉积聚合物；

在该聚合物上方沉积含硅薄膜；

平坦化该含硅薄膜；

有选择地去除该聚合物留下该含硅薄膜；

蚀刻该有机层；和

蚀刻该无机层。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括蚀刻该蚀刻层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括去除该有机掩模层、该含硅掩模层和该图案化掩模层。

4.根据权利要求1-3所述的方法，其中该沉积聚合物包括至少两个循环的侧壁形成步骤，其中每个循环包括：

聚合物沉积阶段；和

聚合物侧壁成形阶段。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该聚合物沉积阶段包括：

提供聚合物沉积气体；

由该沉积气体形成等离子；和

停止该沉积气体流，

其中温度低于100℃。

6.根据权利要求4所述的方法，其中该聚合物侧壁成形阶段包括：

提供与该沉积气体不同的形貌成形气体；

由该形貌成形气体形成等离子；和

停止该形貌成形气体流，

其中温度低于100℃。

7.根据权利要求1-6所述的方法，其中该聚合物是低温聚合物。

8.根据权利要求1-7所述的方法，其中该含硅薄膜是低温硅材料。

9.根据权利要求1-8所述的方法，其中该沉积含硅薄膜进一步包括SOG工艺，其中该温度是小于100℃。

10.根据权利要求1-9所述的方法，其中该图案化掩模层是光刻胶掩模，其中该形成图案化掩模层进一步包括：

修整该光刻胶掩模中的该图案化特征。

11.根据权利要求1-10所述的方法，进一步包括：

在该含硅掩模层上方形成抗反射涂覆(ARC)层。

12.根据权利要求1-11所述的方法，其中该硅薄膜和该含硅掩模层是旋涂玻璃薄膜。

13.根据权利要求1-11所述的方法，进一步包括在该蚀刻层上方形成无机掩模层。