[发明专利]包含耐栅极短路的鳍式晶体管的装置及其制作方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在衬底中蚀刻行间沟槽；

用电介质材料大致或完全地填充所述行间沟槽；及

至少部分地通过在所述衬底中蚀刻栅极沟槽来形成鳍及绝缘突出部，其中所述绝缘突出部包含所述行间沟槽中的所述电介质材料中的至少一些电介质材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述行间沟槽包括：

在所述衬底上的牺牲区中形成若干前驱物沟槽；及

在所述前驱物沟槽中形成间隔件，其中所述间隔件使所述前驱物沟槽变窄。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述间隔件使所述沟槽变窄到小于光刻分辨率限制的宽度。

4.根据权利要求2所述的方法，其包括使用所述牺牲区及侧壁间隔件作为掩模来蚀刻所述行间沟槽。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底中蚀刻行间沟槽包括蚀刻行间沟槽穿过上部掺杂区且至少部分地进入到下部掺杂区中。

6.根据权利要求1所述的方法，其中用电介质材料大致或完全地填充所述行间沟槽包括：

在所述行间沟槽中形成第一衬里；及

将旋涂电介质施加到所述衬底。

7.根据权利要求1所述的方法，其包括：

用牺牲材料及第一侧壁间隔件遮蔽所述行间沟槽的所述蚀刻；及

在用所述电介质材料大致或完全地填充所述行间沟槽之后移除所述牺牲材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其包括：

在移除所述牺牲材料之后在所述第一侧壁间隔件的表面上形成第二侧壁间隔件；及

至少部分地用所述第二侧壁间隔件遮蔽所述栅极沟槽的所述蚀刻。

9.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分地通过在所述衬底中蚀刻栅极沟槽形成鳍及绝缘突出部包括蚀刻所述电介质材料的一部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分地通过在所述衬底中蚀刻栅极沟槽形成鳍及绝缘突出部包括通过蚀刻多个栅极沟槽而大体上同时地形成多个鳍行及多个绝缘突出部。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

将所述多个绝缘突出部中的每一绝缘突出部插入在所述多个鳍行中的一对鳍行之间；且

将所述多个栅极沟槽中的栅极沟槽安置于所述多个鳍行中的每一鳍行的任一侧上所述鳍行与所述多个绝缘突出部中的邻近绝缘突出部之间。

12.根据权利要求1所述的方法，其中：

在所述衬底中蚀刻行间沟槽包括通过光刻步骤在所述衬底上形成第一掩模，且

至少部分地通过在所述衬底中蚀刻栅极沟槽形成鳍及绝缘突出部包括通过第二光刻步骤在所述衬底上形成第二掩模。

13.根据权利要求12所述的方法，其中使所述第二掩模相对于所述第一掩模移位大体上等于所述第一掩模的间距的一半的距离。

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

形成所述第一掩模包括借助第一光刻工具形成所述第一掩模；

形成所述第二掩模包括借助第二光刻工具形成所述第二掩模，其中所述第二光刻工具的分辨率大体上与所述第一光刻工具的分辨率的两倍一样大或大于所述第一光刻工具的分辨率的两倍。

15.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第二掩模包括使前驱物掩模间距倍增。

16.一种装置，其包括：

半导体鳍；

栅极沟槽，其安置于所述半导体鳍的任一侧上；及

绝缘突出部，其安置于所述半导体鳍的任一侧上且通过所述栅极沟槽中的一者至少部分地与所述半导体鳍分离。

17.根据权利要求16所述的装置，其进一步包括：

栅极，其安置于每一栅极沟槽中，其中每一栅极经凹入而低于所述半导体鳍的顶部。

18.根据权利要求16所述的装置，其中所述半导体鳍包括通过大体上U形空隙分离的两个支腿。