[发明专利]由对排出物进行有效消减的减排系统采用的供应燃料的设备和方法无效
申请号: | 200980105587.X | 申请日: | 2009-02-17 |
公开(公告)号: | CN101952933A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·O·克拉克;艾伦·G·福克斯;罗伯特·M·沃梅岚;肖恩·W·柯若弗德 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;F02C1/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷;南霆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排出 进行 有效 消减 系统 采用 供应 燃料 设备 方法 | ||
1.一种设备,用于将燃料引入电子装置制造排出物减排工具,包括:
歧管;
燃料源,其适于将燃料通过燃料管道供应至所述歧管;和
多个喷嘴,其适于从所述歧管接收燃料;
其中,所述歧管适于将燃料以高于火焰速度的燃料速度供应至所述喷嘴。
2.如权利要求1所述的设备,还包括位于所述歧管与所述燃料源之间的单一逆燃阻止器,所述逆燃阻止器适于防止火焰从所述歧管向所述燃料源传播。
3.如权利要求1所述的设备,其中,所述歧管还适于使具有最低燃料速度的喷嘴与具有最高燃料速度的喷嘴之间的燃料速度的不同减小为比所述最高燃料速度的约20%更小。
4.如权利要求1所述的设备,其中,所述歧管还适于使具有最低燃料速度的喷嘴与具有最高燃料速度的喷嘴之间的燃料速度的不同减小为比所述最高燃料速度的约10%更小。。
5.如权利要求1所述的设备,其中,所述燃料速度是所述火焰速度的至少三倍。
6.如权利要求1所述的设备,其中,所述燃料速度是所述火焰速度的至少五倍。
7.如权利要求1所述的设备,其中,所述歧管还适于通过单一燃料入口接收燃料。
8.如权利要求1所述的设备,其中,所述歧管还包括燃料管线,所述燃料管线具有的属性经选择来减小所述喷嘴的燃料速度和压力的不同。
9.一种方法,用于操作电子装置制造减排系统,包括以下步骤:
使燃料从燃料供应器通过燃料管道流入歧管;和
使所述燃料从所述歧管流经多个喷嘴;
其中,所述歧管适于使燃料以高于火焰速度的燃料速度流至所述喷嘴。
10.如权利要求9所述的方法,还包括以下步骤:使燃料流经逆燃阻止器,所述逆燃阻止器位于所述歧管与所述燃料源之间,并适于防止火焰从所述歧管向所述燃料源传播。
11.如权利要求9所述的方法,还包括以下步骤:使具有最低燃料速度的喷嘴与具有最高燃料速度的喷嘴之间的燃料速度的不同减小为比所述最高燃料速度的约20%更小。
12.如权利要求9所述的方法,还包括以下步骤:使具有最低燃料速度的喷嘴与具有最高燃料速度的喷嘴之间的燃料速度的不同减小为比所述最高燃料速度的约10%更小。
13.如权利要求9所述的方法,还包括以下步骤:使所述燃料以至少为所述火焰速度三倍的速度流经所述燃料喷嘴。
14.如权利要求9所述的方法,还包括以下步骤:使所述燃料以至少为所述火焰速度五倍的速度流经所述燃料喷嘴。
15.如权利要求9所述的方法,其中,使所述燃料从所述燃料供应器通过所述燃料管道流入所述歧管的步骤还包括以下步骤:使所述燃料从所述燃料供应器通过单一歧管燃料入口流入所述歧管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造