[发明专利]半导体设备以及半导体设备的制造方法无效
申请号: | 200980107640.X | 申请日: | 2009-02-26 |
公开(公告)号: | CN101960608A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 古屋敷纯也;吉川则之;福田敏行;丝冈敏昌;宇辰博喜 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L21/60;H01L23/28 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体设备 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体设备,其包括半导体元件和搭载该半导体元件的基板,其中,
所述半导体元件在一面上具备受光部和接合焊盘,该一面的背面侧搭载在所述基板上,
在搭载所述半导体元件一侧的面即所述基板的搭载面上形成有引出电极,
所述接合焊盘和所述引出电极通过金属细线连接,
在所述半导体元件的所述一面上设置有存在于所述受光部和所述接合焊盘之间且包围该受光部的第一绝缘体,
所述接合焊盘和所述金属细线通过密封树脂密封,
在所述半导体元件的所述一面上,所述第一绝缘体的外周与所述密封树脂接触,
面向所述受光部且包围该受光部的所述第一绝缘体的内周壁,具有随着远离所述半导体元件的所述一面而开口面积变大的锥形形状。
2.如权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,
所述金属细线通过使第二接合部与所述接合焊盘连接的逆引线法形成。
3.如权利要求1或2中任一项所述的半导体设备,其特征在于,
所述引出电极延伸到所述搭载面的外周缘,
在所述搭载面的外周,在所述引出电极上形成有第二绝缘体。
4.如权利要求1或2中任一项所述的半导体设备,其特征在于,
所述第一绝缘体以一定的宽度设置在所述半导体元件上。
5.如权利要求1或2中任一项所述的半导体设备,其特征在于,
在所述第一绝缘体的外周壁上设有凸凹。
6.如权利要求1或2中任一项所述的半导体设备,其特征在于,
在所述基板的与所述搭载面相反的一侧的背面设置有第三绝缘体。
7.如权利要求1或2中任一项所述的半导体设备,其特征在于,
在所述基板上形成有通孔。
8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体设备,其特征在于,
所述密封树脂的外周缘的角部被倒角。
9.一种半导体设备的制造方法,其特征在于,
包括:
将具备受光部和接合焊盘的半导体元件搭载到具备引出电极的基板上的工序;
以包围所述半导体元件的受光部的方式在该受光部和所述接合焊盘之间将第一绝缘体设置在该半导体元件上的工序;
将所述接合焊盘和所述引出电极通过金属细线连接的工序;
将所述接合焊盘和所述金属细线通过密封树脂密封并使该密封树脂接触所述第一绝缘体的外周壁部的工序,
通过所述密封树脂硬化时的应力,所述绝缘体的内周壁的上部向外周壁侧倾斜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的