[发明专利]半导体设备以及半导体设备的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体设备以及半导体设备的制造方法，尤其涉及在基板上搭载有具备受光部的半导体元件的半导体设备以及半导体设备的制造方法。

背景技术

半导体受光装置在设置有电极的基板上配置光敏芯片，并以透明保护层将其覆盖。这是因为要保护电极焊盘、引线、受光部的部分不受基于外界空气中所含的水分的腐蚀和尘埃的影响。

然而，近年来，因电子设备的小型化，将包括半导体受光装置的部件小型化并装入电子设备的部件的一部分以形成一体化的部件的情形有所增加。这种一体化部件大多用树脂将外形部分密封，从而基本上没有进入水分、尘埃的间隙。

另外，在硬盘驱动器装置中，驱动器装置本身为封闭状态，其内部充满水分、尘埃非常少的清洁的气体。

在这种处于密封状态的半导体受光装置中，没有必要如上所述地以透明保护层进行覆盖，可以暴露受光部。暴露受光部的半导体受光装置能够获得提高受光灵敏度的效果。需要说明的是，暴露受光部的半导体芯片被称作裸芯片。

专利文献1所公开的半导体受光装置的制造方法是通过光刻法在受光部的上方载置抗蚀剂、然后在模制树脂后除去所述抗蚀剂以形成裸芯片。

专利文献1：日本特开2007-150038号公报

在省去受光部上的透明保护层的半导体受光装置中，用于连接基板和光敏芯片的端子部分等由密封树脂模制，而只露出受光部分。即，在由树脂体形成的凹部的底部形成受光部分。

在这种半导体受光装置中，若由树脂体形成的凹部的壁面所反射的光入射到受光部分，则入射光在受光元件表面反射，在受光元件表面反射的光将遇到密封树脂的壁面，并形成漫反射状态。该漫反射光由受光元件再次受光从而造成受光元件的输出不稳定的问题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的半导体设备包括半导体元件和搭载该半导体元件的基板，所述半导体设备构成为，所述半导体元件在一面上具备受光部和接合焊盘，该一面的背面侧搭载在所述基板上，在搭载所述半导体元件一侧的面即所述基板的搭载面上形成有引出电极，所述接合焊盘和所述引出电极通过金属细线连接，在所述半导体元件的所述一面上设置有存在于所述受光部和所述接合焊盘之间且包围该受光部的第一绝缘体，所述接合焊盘和所述金属细线通过密封树脂密封，在所述半导体元件的所述一面上，所述第一绝缘体的外周和所述密封树脂接触，面向所述受光部且包围该受光部的所述第一绝缘体的内周壁，具有随着远离所述半导体元件的所述一面而开口面积变大的锥形形状。

发明效果

由于本发明的半导体设备在受光部的周围形成绝缘体的框体并且在该框体的外侧形成密封树脂，所以在密封树脂硬化时框体向外侧被拉引，从而倾斜地形成框体的壁面。因此，能够获得即使在受光部反射的不需要的光在壁面漫反射，半导体设备也不会误动作的效果。

附图说明

图1(a)是表示本实施方式的半导体设备的结构的示意俯视图，图1(b)是示意剖视图。

图2是表示构成实施方式的半导体设备的半导体元件的放大部分的图。

图3是表示实施方式的半导体设备的制造方法的工序的图。

图4是表示实施方式的半导体设备的制造方法的工序的图。

图5是表示实施方式的半导体设备的制造方法的工序的图。

图6是说明形成第一绝缘体的过程的图。

图7是表示实施方式的半导体设备的制造方法的工序的图。

图8是表示引线接合的工序的图。

图9是表示实施方式的半导体设备的制造方法的树脂模制的工序的图。

图10是表示实施方式的半导体设备的制造方法的树脂模制的工序的图。

图11是表示实施方式的半导体设备的制造方法的切制的工序的图。

图12是表示实施方式的半导体设备的一个变形例的图。

图13是表示实施方式的半导体设备的一个变形例的图。

图14是表示实施方式的半导体设备的一个变形例的图。

图15是表示实施方式的半导体设备的一个变形例的图。

图16是表示实施方式的半导体设备的一个变形例的图。

图17是表示相关技术中的搭载有裸芯片的半导体设备的图。

图18是图17的裸芯片的元件周边的放大图。

符号说明

1半导体设备

3基板

5基板表面

7一面

10半导体元件

12受光部

14接合焊盘

16接合焊盘

18引出电极

20接合引线(金属细线)

22搭载面

24密封树脂