[发明专利]具有到单个导电柱的一对存储器单元串的存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器阵列(104)，其包括：

第一对电隔离激活线(424_2，2、424_2，3)，其形成在一个或一个以上导电柱(230)的相对侧上；

第二对电隔离激活线(424_1，2、424_1，3)，其形成在所述一个或一个以上导电柱(230)的相对侧上；及

多个电荷存储节点(229)，其中每一电荷存储节点(229)插入在所述导电柱(230)中的相应一者与所述激活线(424_2，2、424_2，3、424_1，2、424_1，3)中的相应一者之间；

其中存储器单元(450_1，2)及存储器单元(450_1，1)形成第一串联耦合存储器单元串的至少一部分，所述存储器单元(450_1，2)形成在所述第一对激活线(424_2，2、424_2，3)中的第一者(424_2，2)与所述导电柱(230)中的给定一者的交叉点处，所述存储器单元(450_1，1)形成在所述第二对激活线(424_1，2、424_1，3)中的第一者(424_1，2)与所述导电柱(230)中的所述给定一者的交叉点处；且

其中存储器单元(450_2，2)及存储器单元(450_2，1)形成第二串联耦合存储器单元串的至少一部分，所述存储器单元(450_2，2)形成在所述第一对激活线(424_2，2、424_2，3)中的第二者(424_2，3)与所述导电柱(230)中的所述给定一者的交叉点处，所述存储器单元(450_2，1)形成在所述第二对激活线(424_1，2、424_1，3)中的第二者(424_1，3)与所述导电柱(230)中的所述给定一者的交叉点处。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列(104)，其中所述第一对激活线(424_2，2、424_2，3)中的所述第一者(424_2，2)及所述第二对激活线(424_1，2、424_1，3)中的所述第一者(424_1，2)形成在所述导电柱(230)中的所述给定一者的相同侧上。

3.根据权利要求1所述的存储器阵列(104)，其进一步包括耦合到所述第一串联耦合存储器单元串的第一端及所述第二串联耦合存储器单元串的第一端的第一选择晶体管(216)。

4.根据权利要求3所述的存储器阵列(104)，其中所述一个或一个以上导电柱(230)为一个或一个以上第一导电柱(230)，其中所述第一选择晶体管(216)形成在选择线(204)与耦合到所述第一导电柱(230)中的所述给定一者的一端的第二导电柱(214)之间的交叉点处。

5.根据权利要求4所述的存储器阵列(104)，其中第二导电柱(214)进一步耦合到源极线(200)。

6.根据权利要求3所述的存储器阵列(104)，其进一步包括耦合到所述第一串联耦合存储器单元串的第二端及所述第二串联耦合存储器单元串的第二端的第二选择晶体管(280)。

7.根据权利要求6所述的存储器阵列(104)，其中所述一个或一个以上导电柱(230)为一个或一个以上第一导电柱(230)，其中所述第二选择晶体管(280)形成在选择线(282)与耦合到所述第一导电柱(230)中的所述给定一者的第二端的第二导电柱(270)之间的交叉点处。

8.根据权利要求7所述的存储器阵列(104)，其中第二导电柱(270)进一步耦合到数据线(290)。