[发明专利]有机场致发光元件有效
| 申请号： | 200980108794.0 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101990718A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 福松敬之;市桥郁美;宫崎浩;小田敦 | 申请（专利权）人： | 新日铁化学株式会社;财团法人山形县产业技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;C07D487/04;C07D493/14;C09K11/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 机场 发光 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种有机场致发光元件用空穴注入材料，其特征在于，其包含下述通式(1)表示的羧酸衍生物，
其中，X表示O或N-R，R表示H或1价的取代基。
2.一种有机场致发光元件，其是在对置的阳极和阴极之间具有至少1层的发光层和空穴注入层的有机场致发光元件，其特征在于，具有含有下述通式(1)表示的羧酸衍生物的空穴注入层，
其中，X表示O或N-R，R表示H或1价的取代基。
3.如权利要求2所述的有机场致发光元件，其特征在于，在含有通式(1)表示的羧酸衍生物的空穴注入层或与该空穴注入层邻接的层的至少一层中，含有电离电位为6.0eV以下的空穴传输性材料。
4.如权利要求3所述的有机场致发光元件，其中，与空穴注入层邻接的层为空穴传输层或发光层。
5.如权利要求3所述的有机场致发光元件，其中，电离电位为6.0eV以下的空穴传输性材料为芳胺类空穴传输性材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新日铁化学株式会社;财团法人山形县产业技术振兴机构，未经新日铁化学株式会社;财团法人山形县产业技术振兴机构许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980108794.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
