[发明专利]有机场致发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及在平面光源、显示元件中被利用的有机场致发光元件(以下、有时简称有机EL元件或元件)。

背景技术

有机EL元件，从应用于显示器、照明的观点考虑，得到积极开发。有机EL元件的驱动原理如下。即，从阳极及阴极分别注入空穴和电子，将它们在有机薄膜中传输，在发光层复合、产生激发态，由该激发态得到发光。为了提高发光效率，需要效率良好地地注入空穴及电子，在有机薄膜中进行传输。但是，有机EL元件内的载流子的迁移，因电极与有机薄膜间的能量壁垒、有机薄膜内的载流子的迁移率低而受到限制，因此在发光效率的提高上存在限制。

作为解决该问题的方法，考虑通过在阳极与空穴传输层之间插入空穴注入层来使从阳极的空穴注入性提高、在更低的电压下向发光层传输空穴的手法。

例如，在专利文献1中公开了通过使用酞菁类金属络合物作为空穴注入层、可以使元件低电压化、提高驱动稳定性，但由于酞菁类金属络合物在可见光区域具有吸收，因此存在发光效率降低的问题。另外，存在难以进行发光的色度调整的问题。

另外，在专利文献2中公开了一种配置有由与阳极邻接的n型有机层、和设置在n型有机层上的p型有机层形成的np接合层的有机EL元件。而且，公开了一种n型有机层的LUMO能级和阳极的费米能级差为2.0eV以下、n型有机层的LUMO能级和p型有机层的HOMO能级差为1.0eV以下的有机场致发光元件。在此，n型有机层可以读为空穴注入层。另外，p型有机层可以读为空穴传输层或发光层。

而且，对于专利文献2而言，作为在n型有机层中使用的给电子性化合物，公开了2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)、氟取代的3，4，9，10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、氰基取代的PTCDA、1，4，5，8-萘四甲酸酐(NTCDA)、氟取代的NTCDA、氰基取代的NTCDA、或六腈六氮杂三亚苯(hexanitrile hexaazatriphenylene)(HAT)。

专利文献1：特开昭63-295695号公报

专利文献2：WO2005-109542号公报

发明内容

本发明在于提供一种即使为低电压发光效率也高、且连续驱动时的经时变化少、高质量的有机EL元件。

用于解决课题的手段

本发明涉及包含下述通式(1)表示的羧酸衍生物的有机场致发光元件用空穴注入材料。

其中，X表示O或N-R，R表示H或1价的取代基。

另外，本发明涉及一种有机场致发光元件，其是在对置的阳极和阴极之间具有至少1层的发光层和空穴注入层的有机场致发光元件，其特征在于，具有含有上述通式(1)表示的羧酸衍生物的空穴注入层。

进而，本发明涉及一种有机场致发光元件，其特征在于，在上述空穴注入层或与空穴注入层邻接的层的至少一层中含有电离电位(IP)为6.0eV以下的空穴传输性材料。上述与空穴注入层邻接的层可以为空穴传输层或发光层。而且，作为IP为6.0eV以下的空穴传输性材料，优选为芳胺类空穴传输性材料。

附图说明

图1是表示本发明的有机EL元件的一个例子的示意性剖面图。

图2是表示串联型有机EL元件的一个例子的示意性剖面图。

图3是表示空穴注入传输性的评价用的元件的示意性剖面图。

符号的说明

1基板、2阳极、3空穴注入层、4空穴传输层、5发光层、6电子传输层、7电子注入层、8阴极

具体实施方式

本发明的有机EL元件用空穴注入材料，为上述通式(1)表示的羧酸衍生物。

本发明的有机EL元件在对置的阳极和阴极之间具有至少1层的发光层和空穴注入层，具有含有上述通式(1)表示的羧酸衍生物的空穴注入层。

首先，对上述通式(1)表示的羧酸衍生物或有机EL元件用空穴注入材料进行说明。

通式(1)中，X表示O或N-R。在此，R表示与氮原子键合的氢或1价的取代基，以下例示优选的取代基。