[发明专利]集成电路长、短沟道金属栅极器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造集成电路的方法，该集成电路包含由层间电介质(75)分别覆盖的短沟道(SC)器件(16)和长沟道(LC)器件(18)，该SC器件(16)具有SC栅极堆叠(34)并且该LC器件(18)初始具有伪栅极(50)，该方法包括：

移除该伪栅极(50)以形成LC器件沟槽(96)；以及

沉积金属栅极材料(98)于该SC器件(16)与该LC器件(18)上方，该金属栅极材料(98)接触该SC栅极堆叠(34)并且实质上填满该LC器件沟槽(96)。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

用光阻掩膜(84)遮盖该LC器件(16)；以及

蚀刻该层间电介质(75)的选择部分使得该SC栅极堆叠(34)通过该层间电介质(75)而暴露，同时该伪栅极(50)维持由该层间电介质(75)所遮盖。

3.如权利要求2所述的方法，还包括在蚀刻该层间电介质(75)的该选择部分之后氧化该SC栅极堆叠(34)的步骤。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该SC器件(16)包含邻近该SC栅极堆叠(34)的侧壁间隔物(62)，其中，该SC栅极堆叠(34)包含栅极绝缘体(42)，以及其中，该氧化步骤包括当暴露该侧壁间隔物(62)至氧气环境时对该栅极绝缘体(42)进行退火。

5.如权利要求2所述的方法，其中，该SC器件(16)和该LC器件(18)分别为P型器件，其中，该集成电路还包含N型器件，以及其中，该遮盖步骤包括将光阻掩膜(84)放置在该集成电路上而遮盖该LC器件(18)和该N型器件。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该SC器件(16)和该LC器件(18)分别为P型器件，其中，该集成电路还包含N型器件，其中，该移除步骤包括：

用光阻掩膜(84)遮盖该SC器件(16)和该N型器件；以及

蚀刻该伪栅极(50)。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

形成蚀刻停止层(72)于包含该SC栅极堆叠(34)和该伪栅极(50)的该集成电路的一部分的上方，使得该蚀刻停止层(72)包含在该SC栅极堆叠(34)之上的第一凸起蚀刻停止特征(74)和在该伪栅极(50)之上的第二凸起蚀刻停止特征(76)；以及

将该层间电介质(75)沉积在该蚀刻停止层(72)上方以遮盖该第一凸起蚀刻停止特征(74)和该第二凸起蚀刻停止特征(76)。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该SC栅极堆叠(34)包含具有侧壁(88)的多晶硅层(38)，其中，该蚀刻步骤包括产生环绕SC栅极堆叠(34)并暴露出该侧壁(88)的至少一部分的开口(86)。

9.如权利要求8所述的方法，其中，该沉积步骤包括利用该金属栅极材料(98)实质上填满该开口(86)。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该金属栅极材料(98)包括具有大约4.7至大约5.1电子伏特的有效功函数的金属。