[发明专利]评估衬底的模型的方法、检查设备和光刻设备

说明书

技术领域

本发明涉及例如可以用在通过光刻技术制造器件中的检查方法，且涉及通过使用光刻技术制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。

为了监控光刻过程，期望测量图案化的衬底的参数，例如形成在所述衬底上或衬底中的连续层之间的重叠误差。存在用于对在光刻过程中形成的微观结构进行测量的各种技术，包括使用扫描电子显微镜和各种专门的工具。一种形式的专用检查工具是散射仪，其中辐射束被引导到衬底的表面上的目标上，且测量散射的或反射的束的性质。通过比较辐射束在它被衬底反射或散射之前和之后的性质，可以确定衬底的性质。这例如可以通过比较反射束与被储存在与已知的衬底性质相关的已知测量的库中的数据来完成。已知两种主要类型的散射仪。分光镜散射仪将宽带辐射束引导到衬底上，并测量被散射成特定的窄角度范围中的辐射的光谱(强度作为波长的函数)。角度分辨散射仪使用单频辐射束并测量作为角度的函数的散射辐射的强度。

散射测量术使用衬底的模型测量特征，例如特征的侧壁角度。然而，如果衬底的模型不准确，那么在所测量的特征中将产生大的误差。例如如果存在未包含在所述模型中的线边缘粗糙度，那么上述情况可能会发生。

发明内容

期望提供一种评估在散射测量术中使用的模型的准确度的方法。

根据本发明的一个方面，提供一种用于评估衬底的特征的模型的方法和设备，所述方法包括：使用具有已知辐射特性的辐射对衬底进行第一散射测量；通过使用所述第一散射测量确定所述衬底的所述特征的特性的值，所述辐射具有第一特性值；通过使用具有第二特性值的辐射进行第二散射测量；通过使用所述第二散射测量确定所述特征的所述特性的第二值；和比较所述特征的所述特性的第一值和第二值，以确定所述模型的准确性。

根据本发明的另一方面，提供了一种检查设备和光刻设备，所述设备包括：辐射投影器，所述辐射投影器被配置成将辐射投影到所述衬底上，所述辐射具有辐射特性，所述辐射特性具有多个值；高数值孔径透镜；和探测器，所述探测器被配置成探测从所述衬底的表面反射的辐射束，其中，所述探测器被配置成将所述被探测的辐射分成多个子部分，每一子部分的辐射具有针对所述特性的不同的值。

根据本发明的另一方面，提供了一种检查设备和光刻设备，所述设备包括成像傅里叶变换分光计。

附图说明

现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：

图1示出了根据本发明的实施例的光刻设备；

图2示出了根据本发明的实施例的光刻单元或簇；

图3示出了根据本发明的实施例的第一散射仪；

图4示出了根据本发明的实施例的第二散射仪；

图5示出了根据本发明的实施例的流程图；

图6示出了显示由根据本发明的实施例的方法所获得的结果的图表；和

图7示出了根据本发明的实施例的傅里叶变换分光计。

具体实施方式

图1示意性地示出一种光刻设备。所述设备包括：照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外

(DUV)辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系统)PL，所述投影系统PL配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。