[发明专利]半导体发光组件及其制造方法有效
申请号: | 200980109634.8 | 申请日: | 2009-03-19 |
公开(公告)号: | CN101978513A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 小松原聪;福田健一;大峠忍;古田亨 | 申请(专利权)人: | 岛根县;株式会社岛根电子今福制作所 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光组件,其特征在于,包括:
半导体发光元件;
板件,上述各半导体发光元件与其表面接触并配置在其表面;
电路板,其覆盖上述板件表面的除了上述各半导体发光元件及上述各半导体发光元件附近之外的任意部分,且与上述各半导体发光元件电连接并成为提供上述电力的电极,该电路板覆盖上述板件的部分的面积比上述板件的除了上述各半导体发光元件及上述各半导体发光元件附近之外的部分的面积小,以便使上述板件的一部分暴露。
2.根据权利要求1所述的半导体发光组件,其特征在于,
通过在上述板件的表面形成有高反射膜来反射由上述半导体发光元件发出的光。
3.一种半导体发光组件,其特征在于,包括:
多个半导体发光元件;
多块板件,上述各半导体发光元件与其表面接触并配置在其表面;
一块电路板,其覆盖上述多块板件的各表面的除了上述各半导体发光元件及上述各半导体发光元件附近之外的任意部分,且与上述各半导体发光元件电连接并成为提供上述电力的电极,该电路板分别连接上述多块板件,且覆盖上述板件的部分的面积比上述板件的除了上述各半导体发光元件及上述各半导体发光元件附近之外的部分的面积小,以便使上述各板件的一部分暴露。
4.根据权利要求3所述的半导体发光组件,其特征在于,
上述多块板件呈阵列状配置,该呈阵列状沿纵向配置的多块板件的宽度比上述一块电路板的宽度宽。
5.根据权利要求3所述的半导体发光组件,其特征在于,
通过在上述板件的表面形成有高反射膜来反射由上述半导体发光元件发出的光。
6.一种半导体发光组件,其特征在于,包括:
半导体发光元件;
板件,在由形成为倾斜面与表面所形成的角为钝角且比上述半导体发光元件高的凸部所围绕的区域内,上述半导体发光元件与该板件的表面接触并配置在该板件的表面;
电路板,其覆盖上述板件表面的除了由上述凸部所围绕的区域之外的任意部分,且与上述各半导体发光元件电连接并成为提供上述电力的电极。
7.根据权利要求6所述的半导体发光组件,其特征在于,
通过在上述板件的表面形成有高反射膜来反射由上述半导体发光元件发出的光。
8.根据权利要求6所述的半导体发光组件,其特征在于,
还包括形成为在上述凸部与上述电路板的接触位置上配置有高反射性涂料来反射由上述半导体发光元件发出的光的高反射涂料部。
9.根据权利要求6所述的半导体发光组件,其特征在于,
还包括在由上述凸部所围绕的区域的外侧的所述电路板上,以围绕该领域状由反射材料呈凸状形成的凸状反射部。
10.一种半导体发光组件制造方法,用于制造一体地组装半导体发光元件的半导体发光组件,其特征在于,包括:
在板件上形成凸部使倾斜面与表面所形成的角为钝角且使该凸部比上述半导体发光元件高的步骤;
在由上述凸部所围绕的区域内,以上述半导体发光元件与上述板件表面接触状配置上述半导体发光元件的步骤;
配置电路板的步骤,该电路板覆盖上述板件表面的除了由上述凸部所围绕的区域之外的任意部分,且与上述半导体发光元件电连接而成为提供电力的电极。
11.根据权利要求10所述的半导体发光组件制造方法,其特征在于,
上述形成凸部的步骤通过将金属板冲压加工成反射由上述半导体发光元件发出的光并使之聚光的形状来形成凸部。
12.根据权利要求10所述的半导体发光组件制造方法,其特征在于,
上述板件通过蒸镀高反射膜来反射由上述半导体发光元件发出的光。
13.根据权利要求10所述的半导体发光组件制造方法,其特征在于,
还包括配置高反射涂料的步骤,在该步骤中,在上述凸部与上述电路板的接触位置上配置有高反射性涂料,来反射由上述半导体发光元件发出的光。
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