[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第一导电型的半导体层；

形成在所述半导体层的主面上的电极；

在所述半导体层的所述主面内从位于所述电极的端部以及所述端部的周边部的正下方的部分朝向所述半导体层的内部而形成、并且以包围所述电极的方式形成的第二导电型的保护环层；

以从所述保护环层离开间隔地包围所述保护环层的方式，在所述半导体层的所述主面内从比所述端部周边部靠外侧的部分朝向所述半导体层的内部而形成的由至少一个构成的槽；

从所述至少一个槽的底部朝向所述半导体层的内部，以包围所述保护环层的方式形成的由至少一个构成的所述第二导电型的JTE层；以及

以覆盖所述保护环层的表面以及所述至少一个JTE层的表面的方式形成在所述半导体层的所述主面上的绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

从所述半导体层的所述主面观察时，所述至少一个JTE层的底部比所述保护环层的底部更深。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还从所述至少一个槽的侧面朝向所述半导体层的内部而形成有所述至少一个JTE层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述绝缘膜内所述至少一个槽的所述底部上的部分的膜厚比在所述绝缘膜内没有形成所述至少一个槽的所述主面的部分上的部分的膜厚更厚。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述至少一个槽是多个，

对应于各槽，所述至少一个JTE层是多个，

在所述多个槽内从所述保护环层离得最远的槽距离所述主面的深度最深。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

所述至少一个槽是多个，

一个JTE层形成为与所述多个槽分别连接。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述至少一个槽是多个，

一个JTE层形成为与所述多个槽分别连接。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述电极的所述端部以及所述端部周边部配设于在其正下方形成了所述保护环层的保护环层用槽内。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述保护环层具备第二保护环层，该第二保护环层在所述半导体层的所述主面内从位于所述电极的所述端部以及所述端部周边部的正下方的部分朝向所述保护环层的内部以包围所述电极的方式形成，并且包含浓度比所述保护环层的杂质浓度更高的所述第二导电型的杂质。