[发明专利]可缩放电可擦除及可编程存储器

权利要求书

1.一种非易失性存储器阵列，包括：

一个或多个电可擦除及可编程存储器(EEPROM)单元对，每一单元对被配置成存储两个数据位，并且包括：

具有由栅极间介电层与控制栅极结构分开的浮动栅极结构的第一非易失性存储器晶体管；

具有由栅极间介电层与控制栅极结构分开的浮动栅极结构的第二非易失性存储器晶体管；以及

具有与控制栅极结构电连接的浮动栅极结构的源极存取晶体管，所述源极存取晶体管位于第一阱区中并且耦合到所述第一非易失性存储器晶体管的源极和所述第二非易失性存储器晶体管的源极，其中第一阱区位于第二阱区中。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，还包括将所述第一非易失性存储器晶体管的浮动栅极结构、所述第二非易失性存储器晶体管和所述源极存取晶体管与所述第一阱区分开的隧道栅极介电层。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，还包括耦合到所述第一非易失性存储器晶体管的漏极和所述第二非易失性存储器晶体管的漏极的位线。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，还包括：

耦合到所述第一非易失性存储器晶体管的控制栅极结构的第一字线；以及

耦合到所述第二非易失性存储器晶体管的控制栅极结构的第二字线；以及

耦合到所述源极存取晶体管的控制栅极结构的源极选择线。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，所述第一字线、所述第二字线和所述源极选择线沿第一轴平行地延伸。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，每个EEPROM单元对中仅有的晶体管是所述第一非易失性存储器晶体管、所述第二非易失性存储器晶体管和所述源极存取晶体管。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，所述一个或多个电可擦除及可编程存储器(EEPROM)单元对被安排成多个行和列，其中配置所述列的第一列使得在所述列的第一列中的每一EEPROM单元对的第一非易失性存储器晶体管和第二非易失性存储器晶体管永远处于导电状态。