[发明专利]中孔二氧化锰无效
| 申请号： | 200980110567.1 | 申请日： | 2009-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101980964A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 凯瑟琳·伊丽莎白·阿莫斯;托比亚斯·詹姆斯·戈登-史密斯 | 申请（专利权）人： | 纳诺泰克图有限公司 |
| 主分类号： | C01G45/02 | 分类号： | C01G45/02;H01M4/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 英国南*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化锰 | ||
1.中孔α-二氧化锰。
2.根据权利要求1所述的中孔α-二氧化锰，其中所述二氧化锰的至少60％处于α-相。
3.根据权利要求1所述的中孔α-二氧化锰，其中所述二氧化锰的至少80％处于α-相。
4.根据权利要求1所述的中孔α-二氧化锰，其中所述二氧化锰的至少90％处于α-相。
5.根据前述权利要求中任一项所述的中孔α-二氧化锰，其中表面积的至少75％归因于在中等范围内的孔隙的存在。
6.根据前述权利要求中任一项所述的中孔α-二氧化锰，其中所述表面积的至少90％归因于在所述中等范围内的孔隙的存在。
7.根据前述权利要求中任一项所述的中孔α-二氧化锰，其中所述表面积为至少110m2/g。
8.根据权利要求7所述的中孔α-二氧化锰，其中所述表面积为至少150m2/g。
9.根据前述权利要求中任一项所述的中孔α-二氧化锰，所述中孔α-二氧化锰含有选自K+和/或Na+和/或Rb+阳离子的阳离子杂质，其中所述杂质的含量总和为至少0.2原子％。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的中孔α-二氧化锰，其中所述杂质的所述含量总和为至少0.7原子％。
11.一种用于通过氧化Mn(II)源，还原Mn(VI)或Mn(VII)源，或解离Mn(II)盐制备中孔α-二氧化锰的方法，所述方法的特征在于，所述氧化、还原或解离反应在以足以在反应混合物中形成均相溶致液晶相的量的结构引导剂的存在下，并且在使得所述二氧化锰作为以α-相形式的中孔固体沉淀的条件下进行。
12.当通过根据权利要求11所述的方法制备时的中孔α-二氧化锰。
13.一种电极，其包含根据权利要求1至10和12中任一项所述的中孔α-二氧化锰。
14.一种电极，其包含常规MnO2和根据权利要求1至10和12中任一项所述的中孔α-二氧化锰的混合物。
15.一种电化学电池，其具有根据权利要求13或权利要求14所述的电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳诺泰克图有限公司，未经纳诺泰克图有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980110567.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：人造琉璃石板材成型机
- 下一篇：用于切药机的送药装置
