[发明专利]用于多级缓存利用的设备和方法有效

专利信息
申请号: 200980110592.X 申请日: 2009-06-24
公开(公告)号: CN101981555A 公开(公告)日: 2011-02-23
发明(设计)人: R·S·特特里克;D·朱内曼;R·布伦南 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F13/14 分类号: G06F13/14;G06F12/00;G06F3/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张涛;王洪斌
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 多级 缓存 利用 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于处理器的系统,包括:

处理器;

耦合到该处理器的系统存储器;

大容量储存器装置;

多级非易失性缓存存储器,位于系统存储器和大容量储存器装置之间;以及

代码,被存储在基于处理器的系统上以使基于处理器的系统利用多级非易失性缓存存储器,

其中该多级非易失性缓存存储器包括:

第一级非易失性缓存存储器,该第一级非易失性缓存存储器具有第一操作特性集;以及

第二级非易失性缓存存储器,该第二级非易失性缓存存储器具有第二操作特性集,其中第二操作特性集不同于第一操作特性集,

且其中该代码被配置成使基于处理器的系统依据相应的第一和第二操作特性集而与第二级非易失性缓存存储器不同地利用第一级非易失性缓存存储器。

2.权利要求1的系统,其中不同的第一和第二操作特性集对应于第一级非易失性缓存存储器和第二级非易失性缓存存储器的不同物理特性。

3.权利要求2的系统,其中第一级非易失性缓存存储器包括与第二级非易失性缓存存储器相比相对更快的缓存存储器。

4.权利要求3的系统,其中第二级非易失性缓存存储器包括与第一级非易失性缓存存储器相比相对更高的储存密度缓存存储器。

5.权利要求4的系统,其中第一级非易失性缓存存储器包括单级单元NAND闪速存储器,而第二级非易失性缓存存储器包括多级单元NAND闪速存储器。

6.权利要求1的系统,其中所述代码被配置成使基于处理器的系统实施针对第一级非易失性缓存存储器的第一缓存插入策略以及针对第二级非易失性缓存存储器的第二缓存插入策略,其中第一缓存插入策略不同于第二缓存插入策略。

7.权利要求6的系统,其中所述代码被进一步配置成使基于处理器的系统:接收对大容量储存器访问的请求,该请求请求要在大容量储存器装置上访问的信息;并且依据相应的第一和第二缓存插入策略把信息缓存在第一级非易失性缓存存储器和第二级非易失性缓存存储器中的一个中。

8.一种非易失性缓存存储器,包括:

多级非易失性缓存存储器,被配置成位于电子系统的系统存储器和大容量储存器装置之间;以及

耦合到多级非易失性缓存存储器的控制器,其中该控制器被配置成控制多级非易失性缓存存储器的利用,

其中多级非易失性缓存存储器包括:

第一级非易失性缓存存储器,该第一级非易失性缓存存储器具有第一操作特性集;以及

第二级非易失性缓存存储器,该第二级非易失性缓存存储器具有第二操作特性集,其中第二操作特性集不同于第一操作特性集,

且其中该控制器被配置成依据相应的第一和第二操作特性集而与第二级非易失性缓存存储器不同地利用第一级非易失性缓存存储器。

9.权利要求8的缓存存储器,其中不同的第一和第二操作特性集对应于第一级非易失性缓存存储器和第二级非易失性缓存存储器的不同物理特性。

10.权利要求9的缓存存储器,其中第一级非易失性缓存存储器包括与第二级非易失性缓存存储器相比相对更快的缓存存储器。

11.权利要求10的缓存存储器,其中第二级非易失性缓存存储器包括与第一级非易失性缓存存储器相比相对更高的储存密度缓存存储器。

12.权利要求11的缓存存储器,其中第一级非易失性缓存存储器包括单级单元NAND闪速存储器,而第二级非易失性缓存存储器包括多级单元NAND闪速存储器。

13.权利要求8的缓存存储器,其中所述控制器被配置成实施针对第一级非易失性缓存存储器的第一缓存插入策略以及针对第二级非易失性缓存存储器的第二缓存插入策略,其中第一缓存插入策略不同于第二缓存插入策略。

14.权利要求13的缓存存储器,其中所述控制器被进一步配置成:接收对大容量储存器访问的请求,该请求请求要在大容量储存器装置上访问的信息;并且依据相应的第一和第二缓存插入策略把信息缓存在第一级非易失性缓存存储器和第二级非易失性缓存存储器中的一个中。

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