[发明专利]用于超薄基板以及封装上封装组件的倒装片组件工艺

权利要求书

1.一种方法，包括：

接收无芯基板条；

将焊球附接到所述无芯基板条的背侧；以及

在所述焊球之间形成背侧硬化模。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述焊球之间形成背侧硬化模包括：

分配液体模制化合物；以及

将所述液体模制化合物压缩到所述焊球的高度以下。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无芯基板条包括第3代直接激光层压(DLL3)条。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括将集成电路器件附接到所述无芯基板条的顶侧。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括将第二集成电路器件封装附接到所述无芯基板条的所述顶侧。

6.一种方法，包括：

接收第3代直接激光层压(DLL3)基板条；

将焊球附接到所述DLL3基板条的背侧；以及

在所述焊球之间形成背侧硬化模。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述DLL3基板条包括大约200微米的厚度。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述背侧硬化模包括大约200微米的厚度。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述焊球之间形成背侧硬化模包括：

分配液体模制化合物；以及

将所述液体模制化合物压缩到所述焊球的高度以下。

10.根据权利要求6所述的方法，还包括将集成电路器件附接到所述无芯基板条的顶侧。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括将第二集成电路器件封装附接到所述无芯基板条的所述顶侧。

12.一种装置，包括：

无芯基板条；

附接到所述无芯基板条的背侧的多个焊球；以及

所述焊球之间的背侧硬化模。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述背侧硬化模包括大约200微米的高度。

14.根据权利要求12所述的装置，其中，所述无芯基板条包括大约200微米的高度。

15.根据权利要求14所述的装置，还包括附接到所述无芯基板条的顶侧的集成电路器件。

16.一种装置，包括：

第3代直接激光层压(DLL3)基板条；

附接到所述DLL3基板条的背侧的多个焊球；

所述焊球之间的背侧硬化模；以及

附接到所述DLL3基板条的顶侧的集成电路器件。

17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述背侧硬化模包括大约200微米的高度。

18.根据权利要求16所述的装置，其中，所述DLL3基板条包括大约200微米的高度。

19.根据权利要求16所述的装置，其中，所述焊球包括大约10密耳的直径。

20.根据权利要求16所述的装置，还包括附接到所述DLL3基板条的所述顶侧的第二集成电路器件封装。