[发明专利]用于超薄基板以及封装上封装组件的倒装片组件工艺无效
申请号: | 200980110789.3 | 申请日: | 2009-06-26 |
公开(公告)号: | CN101981680A | 公开(公告)日: | 2011-02-23 |
发明(设计)人: | W·K·蒙;A·V·拉奇;B·S·林;M·L·陆;K·E·翁;S·F·林;T·W·翁 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48;H01L23/12 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 超薄 以及 装上 封装 组件 倒装 工艺 | ||
技术领域
本发明的实施例总体涉及集成电路封装领域,并且更具体而言,涉及用于超薄基板以及封装上封装组件的倒装片组件工艺。
背景技术
随着微电子部件尺寸的缩减,出现了一种提供可以表征为薄芯基板(也就是说,具有厚度小于或者等于400微米且大于零的芯的基板)或者无芯基板(也就是说,没有芯的基板)的封装基板的趋势。
然而,不利的是,利用薄芯或者无芯基板,在封装制造工艺期间,例如在要求基板平面度和刚度的倒装片键合期间,可能发生翘曲引起的未润湿导致的第一级芯片附接成品率的减小。为了解决上述问题,现有技术有时提供可以具有至少几十微米或者更大的厚度的基板。然而,上述方法不利地有损于进一步的封装尺寸最小化。
附图说明
在附图中通过举例而非限定性的方式示出了本发明,在附图中,类似的附图标记表示类似的元件,并且在附图中:
图1是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明;
图2是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明;
图3是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明;
图4是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明;
图5是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明;
图6是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明;
图7是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明;
图8是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明。
具体实施方式
在以下描述中,出于解释的目的,阐述了很多具体细节,以便提供对本发明的透彻理解。但是,对于本领域技术人员而言显而易见的是,能够在不需要这些具体的细节的情况下实践本发明的实施例。在其他情况下,通过方框图的形式对结构和器件进行了图示,以避免使本发明变得难以理解。
在整个本说明书中引用的“一个实施例”或“实施例”是指在本发明的至少一个实施例中包含了结合所述实施例描述的特定特征、结构或特性。因而,在整个本说明书的不同位置出现的词组“在一个实施例中”或“在实施例中”未必都是指同一实施例。此外,可以在一个或更多实施例中通过任何适当的方式结合所述特定特征、结构或特性。
图1是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明。根据所示出的示范实施例,封装100包括一个或多个无芯基板条102、背侧触点104、顶侧触点106以及基板厚度108。
无芯基板条102表示可以在被单颗化(singulated)之前被辊平(rollout)和处理的薄基板。在一个实施例中,无芯基板条102是第3代直接激光层压(direct laser lamination generation 3,DLL3)条。在一个实施例中,基板厚度108大约为200微米。
图2是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明。如封装200中所示,已将焊球202附接到无芯基板条102的背侧204。在一个实施例中,焊球直径206大约是10密耳。
图3是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明。如封装300中所示,模制化合物302作为液体分配在焊球之间并且被模腔(mold form)304压缩。在一个实施例中,模腔304被设计为将模制化合物302压缩到焊球的高度以下。可以将模腔304固定就位一段时间并且可以对其进行加热以允许模制化合物302固化。
图4是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明。如封装400中所示,硬化模402被固化在焊球202之间并且为封装400提供附加的硬度。在一个实施例中,硬化模402的模厚度404大约为200微米。
图5是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明。如封装500中所示,封装已经被翻转以进行顶侧处理。
图6是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明。如封装600中所示,已将集成电路器件602附接到无芯基板条102的顶侧604。集成电路器件602可以表示任意类型的硅处理器或者控制器或者逻辑。
图7是根据本发明的一个示范实施例的部分形成的IC封装的截面图的图解说明。如封装700中所示,已将底部填充材料702分配到集成电路器件602之下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造