[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

支撑衬底；

第二电极层，所述第二电极层被形成在所述支撑衬底上；

电流扩展层，所述电流扩展层被形成在所述支撑衬底上；

第二导电半导体层，所述第二导电半导体层被形成在所述第二电极层和所述电流扩展层上；

有源层，所述有源层被形成在所述第二导电半导体层上；

第一导电半导体层，所述第一导电半导体层被形成在所述有源层上；以及

第一电极层，所述第一电极层被形成在所述第一导电半导体层上。

2.根据权利要求1所述的发光元件，进一步包括：

晶片结合层，所述晶片结合层在所述支撑衬底和所述第二电极层之间。

3.根据权要求1所述的发光元件，其中，

所述第二电极层接触所述电流扩展层和所述第二导电半导体层。

4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，

所述第二电极层具有与所述电流扩展层的欧姆接触界面，并且具有与所述第二导电半导体层的肖特基接触界面。

5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，

具有与所述第二导电半导体层的所述肖特基接触界面的所述第二电极层的一部分与所述第一电极层在垂直方向上至少部分地重叠。

6.根据权利要求1所述发光元件，进一步包括：

电流阻挡区，所述电流阻挡区在所述支撑衬底和所述第二电极层之间。

7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，

通过掩埋导电性材料或者通过空气隙，来形成所述电流阻挡区。

8.根据权利要求6所述的发光元件，其中，

所述电流阻挡区的至少一部分与所述第一电极层垂直地重叠。

9.根据权利要求6所述的发光元件，其中，

通过所述第二电极层和所述晶片结合层来包围所述电流阻挡区。

10.根据权利要求6所述的发光元件，其中，

通过第二电极层来包围所述电流阻挡区。

11.根据权利要求1所述的发光元件，进一步包括：

界面重整层，所述界面重整层在所述电流扩展层和所述第二导电半导体层之间。

12.根据权利要求11所述的发光元件，其中，

所述界面重整层具有超晶格结构，并且由注入有第一导电杂质的InGaN、GaN、AlInN、AlN、InN以及AlGaN中的任何一种、注入有第二导电杂质的InGaN、GaN、AlInN、AlN、InN以及AlGaN中的任何一种或者具有氮极性表面的III簇氮化物基材料中的任何一种制成。

13.根据权利要求12所述的发光元件，其中，

在其中所述界面重整层具有所述超晶格结构的情况下，所述界面重整层由包含II簇、III簇或IV簇元素的氮化物或者碳氮化物制成。

14.根据权利要求11所述的发光元件，其中，

所述第二电极层接触所述电流扩展层、所述界面重整层以及所述第二导电半导体层。

15.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述电流扩展层由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)以及氧化镍金(NiO-Au)中的至少一种制成。

16.一种发光元件的制造方法，包括：

在生长衬底上形成第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层以及电流扩展层；

通过选择性地去除所述电流扩展层和所述第二导电半导体层来形成蚀刻凹槽，以部分地暴露所述第二导电半导体层；

在所述蚀刻凹槽和所述电流扩展层上形成第二电极层；

在临时衬底上形成支撑衬底；

通过将所述第二电极层和所述支撑衬底与被插入其间的晶片结合层相互结合来形成复合体；

去除生长衬底，并且在所述第一导电半导体层上形成第一电极层；以及

去除所述临时衬底。

17.根据权要求16所述的发光元件的制造方法，其中，

所述第二电极层接触所述第二导电半导体层和所述电流扩展层。