[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件及其制造方法。

背景技术

近年来，作为发光元件，发光二极管(LED)已经被广泛使用。由于发光二极管将电能转换为光能以及具有高效率和大约5年或者更长的长寿命，所以可以显著地减少能量消耗并且节省维护成本，结果，在下一代发光领域中已经被广泛使用。

发光二极管包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层。根据通过第一导电半导体层和第二导电半导体层施加的电流，从有源层产生光。

同时，发光二极管可以被分成横向型发光二极管和垂直型发光二极管。

在横向型发光二极管中，第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层被形成在生长衬底上，并且第二导电半导体层、有源层以及第一导电半导体层被部分地去除以部分地暴露第一导电半导体层，以便形成电极层。因此，发射面积被减少，从而光效率劣化。

此外，在横向型发光二极管中，由于第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层被设置在生长衬底上，因此由于具有低热传导性的生长衬底而难以散热。

此外，在横向型发光二极管中，由于第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层被设置在生长衬底上，因此由于具有低热传导性的生长衬底而难以散热。

相反地，在垂直型发光二极管中，由于第一电极层被形成在第一导电半导体层上并且第二电极层被形成在第二导电半导体层下方，所以不需要去除有源层，以便形成电极层，结果，发射面积不被减少。因此，与横向型发光二极管相比，可以提高光效率。

此外，在垂直型发光二极管中，由于通过第二电极层传输热，所以容易散热。

同时，在垂直型发光二极管中，通过使电流在第一电极层和第二电极层之间进行流动来增加大面积，以便增加光效率。

发明内容

技术问题

本实施例提供具有新结构的发光元件及其制造方法。

本实施例提供具有提高的光效率的发光元件及其制造方法。

技术方案

一种根据示例性实施例的发光元件，包括：支撑衬底；第二电极层，所述第二电极层被形成在支撑衬底上；电流扩展层，所述电流扩展层被形成在支撑衬底上；第二导电半导体层，所述第二导电半导体层被形成在第二电极层和电流扩展层上；有源层，所述有源层被形成在第二导电半导体层上；第一导电半导体层，所述第一导电半导体层被形成在有源层上；以及第一电极层，所述第一电极层被形成在第一导电半导体层上。

根据示例性实施例的发光元件的制造方法，包括：在生长衬底上形成第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层以及电流扩展层；通过选择性地去除电流扩展层和第二导电半导体层来形成蚀刻凹槽，以部分地暴露第二导电半导体层；在蚀刻凹槽和电流扩展层上形成第二电极层；在临时衬底上形成支撑衬底；通过将第二电极层和支撑衬底与被插入其间的晶片结合层相互结合来形成复合体；去除生长衬底并且在第一导电半导体层上形成第一电极层；以及去除临时衬底。

有益效果

本实施例提供具有新结构的发光元件及其制造方法。

本实施例提供具有提高的光效率的发光元件及其制造方法。

附图说明

图1是描述根据第一示例性实施例的发光元件的示意图；

图2是描述根据第二示例性实施例的发光元件的示意图；

图3是描述根据第三示例性实施例的发光元件的示意图；

图4是描述根据第四示例性实施例的发光元件的示意图；

图5是描述根据第五示例性实施例的发光元件的示意图；

图6描述根据第六示例性实施例的发光元件的示意图；

图7描述根据第七示例性实施例的发光元件的示意图；

图8描述根据第八示例性实施例的发光元件的示意图；以及

图9至图17是描述根据示例性实施例的发光元件的制造方法的示意图。

具体实施方式

在描述本发明的实施例中，应该理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案“上”或“下”时，“在...上”和“在...下”包括“直接”或“间接”。此外，“在...上”和“在...下”是基于附图来描述的。

在附图中，为了方便和清楚起见，层的厚度或尺寸被夸大、省略或示意性示出。另外，没有完全反映组成构件的实际尺寸。

在下文中，将会参考附图来详细地描述根据示例性实施例的发光元件及其制造方法。

图1是描述根据第一示例性实施例的发光元件的示意图。