[发明专利]基板的异常载置状态的检测方法、基板处理方法、计算机可读取的存储介质以及基板处理装置

说明书

技术领域

本申请针对2008年9月30日申请的日本特愿2008-253937号主张优先权，参照并援引该日本特愿2008-253937号的全部内容。

本发明涉及在将半导体晶片等基板加热而进行成膜处理、蚀刻处理、热处理、改性处理、结晶化处理等处理的处理装置中，在基板以异常的状态载置于基板载置台上时用于检测其的基板的异常载置状态的检测方法、利用该方法的基板处理方法、利用上述方法的计算机可读取的存储介质以及基板处理装置。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，针对半导体晶片等基板而进行成膜等处理的处理装置，在反应室内具有载置基板的基板载置台，在用该基板载置台支承基板的状态下进行处理。在基板载置台上内装有加热器，以便能根据处理内容对基板进行加热，例如利用热CVD法等进行成膜处理的情况下，通过加热器将基板载置台的温度加热至500℃～700℃左右(例如日本特开2006-283173号公报)。

但是，在基板载置台与基板之间进入异物等而导致基板从载置面浮起，或因传送装置的错误动作而基板在基板载置台上从正常位置偏离位置而被载置的情况下，存在从基板载置台向基板的导热变得不均匀，处理内容(成膜情况下为膜厚等)在基板面内变得不均匀等的问题。并且，在基板本身产生翘曲而部分产生浮起的情况，或在基板载置台本身发生变形、破损等问题而基板不能在正常位置载置的情况下，也发生与上述相同的问题。

以往，在发生基于异物、位置偏离、基板的异常、基板载置台的异常等的基板的异常载置状态的情况下，没有在处理的中途可靠地检测所述问题的方法。因此，通常情况是，针对制成设备时导致批次不良、产品不良的情况，才事后调查原因，查出是异常的载置状态。因此，一旦发生异常载置状态，就会连续发生批次不良、产品不良，成为降低成品率的主要原因。

发明内容

本发明是鉴于上述实情作出的，其目的在于提供能在早期发现基板相对于基板载置台的异常载置状态的方法。

为了解决上述问题，本发明的基板的异常载置状态的检测方法，

对在设有加热器的基板载置台上载置的基板加热的同时进行处理时，检测该基板的载置状态的异常，其特征在于，包括：

在处理一张基板的期间，根据向上述加热器供给的电力输出的信息或上述基板载置台的计测温度的信息，检测上述电力输出或上述计测温度的最大值及最小值、或上述电力输出或上述计测温度的累计值的工序；和

根据检测出的上述最大值及上述最小值、或检测出的上述累计值判定上述基板的异常载置状态的工序。

根据本发明的基板的异常载置状态的检测方法，由于能够以向上述加热器供给的电力输出的最大值及最小值或累计值或上述基板载置台的温度的最大值及最小值或累计值作为指标，每当处理一张基板时判定基板的异常载置状态，因而能最大限度地抑制产品不良率，从而提高成品率。并且，由于不需要例如用于检测基板的载置位置的传感器等新设备，因而能容易应用于现有的设备。

本发明的基板的异常载置状态的检测方法，在上述进行检测的工序由检测上述电力输出或上述计测温度的最大值及最小值的工序构成的情况下，也可以包括求出上述最大值与上述最小值之差的工序，上述进行判定的工序包括通过将上述差与预定的阈值比较而判定上述基板的异常载置状态的步骤。根据该特征，通过将上述最大值与最小值之差与预先设定的阈值比较，能容易进行基板的异常载置状态的判定。

并且，本发明的基板的异常载置状态的检测方法，在上述进行检测的工序由检测上述电力输出或上述计测温度的最大值及最小值的工序构成的情况下，还包括：求出上述最大值与上述最小值之差的工序；和利用上述差与在前一张基板的处理中求出的电力输出或计测温度的最大值及最小值之差进行运算处理而求出运算结果的工序，上述进行判定的工序包括通过将上述运算结果与预定的阈值比较而判定上述基板的异常载置状态的步骤。根据该特征，即使在成膜处理等中因堆积物而基板载置台的状态发生变化的情况下，通过将以相同的处理内容处理前一张的基板作为基准进行校正(运算处理)，能精度良好地检测基板的异常载置状态。

并且，本发明的基板的异常载置状态的检测方法，在上述进行检测的工序由检测上述电力输出或上述计测温度的累计值的工序构成的情况下，上述进行判定的工序包括通过将上述累计值与预定的阈值比较而判定上述基板的异常载置状态的步骤。根据该特征，通过累计值与预先设定的阈值比较，判定变得容易。