[发明专利]发光器件和用于制造发光器件的方法有效
| 申请号： | 200980112565.6 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101990714A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 朴炯兆 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 用于 制造 方法 | ||
1.一种发光器件，包括：
第二电极层；
所述第二电极层上的第二导电型半导体层；
电流阻挡层，所述电流阻挡层包括所述第二导电型半导体层的氧化物；
所述第二导电型半导体层上的有源层；
所述有源层上的第一导电型半导体层；以及
所述第一导电型半导体层上的第一电极层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中至少部分所述第一电极层、所述第二电极层、以及所述电流阻挡层在垂直方向上重叠。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡层的顶表面和侧表面与所述第二导电型半导体层相接触，并且所述电流阻挡层的底表面被布置为面向所述第二电极层。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡层被设置为多个并且彼此隔开。
5.根据权利要求1所述的发光器件，包括在所述第二电极层和所述电流阻挡层之间的欧姆层。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡层被设置为多个并且至少两个电流阻挡层具有不同的尺寸。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电型半导体层包括第一氮化物层和第二氮化物层，并且所述第一氮化物层具有比所述第二氮化物层小的折射率。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一氮化物层包括AlGaN层或者AlN层，并且所述第二氮化物层包括GaN层。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡层由GaxOy形成。
10.一种发光器件，包括：
第二电极层；
所述第二电极层上的第二导电型半导体层；
所述第二导电型半导体层上的有源层；
所述有源层上的第一导电型半导体层；
所述第一导电型半导体层中的电流阻挡层；以及
所述第一导电型半导体层上的第一电极层。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中至少部分所述第一电极层、所述第二电极层、以及所述电流阻挡层在垂直方向上重叠。
12.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述电流阻挡层的顶表面、底表面、以及侧表面由所述第一导电型半导体层包围。
13.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述电流阻挡层由SiO2、SiNx、TiO2、Ta2O3、SiON、或者SiCN中的至少一个形成。
14.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述电流阻挡层被设置为多个并且彼此隔开。
15.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一导电型半导体层包括第一氮化物层和第二氮化物层，并且所述第一氮化物层具有比所述第二氮化物层小的折射率，以及
其中所述电流阻挡层被形成在所述第二氮化物层中。
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