[发明专利]发光器件和用于制造发光器件的方法

说明书

技术领域

本公开涉及发光器件和用于制造发光器件的方法。

背景技术

最近，已经对使用发光二极管(LED)作为发光器件的器件进行许多的研究。

LED是通过使用化合物半导体的特性将电子信号转化为光的器件。LED具有堆叠结构，该堆叠结构包括第一导电型的半导体层、有源层、以及第二导电型的半导体层，并且当施加电压时从有源层发射光。第一导电型半导体层可以是n型半导体层，并且第二导电型半导体层可以是p型半导体层，反之亦然。

同时，在将电压施加给第一导电型半导体层的第一电极层和将电压施加给第二导电型半导体层的第二电极层被布置在垂直方向上的垂直LED结构中，电流可能不在宽广的区域中流动并且可能集中在第一电极层的下侧流动。如果电流集中在特定的区域流动，那么操作电压可能增加以降低光的强度，因此劣化发光器件的可靠性。

此外，需要提高光提取效率从而从有源层发射的光被有效率地提取到外部。

发明内容

技术问题

实施例提供具有新结构的发光器件，和用于制造发光器件的方法。

实施例还提供具有提高的光提取效率的发光器件，和用于制造发光器件的方法。

实施例还提供能够抑制电流集中在特定区域流动的发光器件，和用于制造发光器件的方法。

实施例还提供能够以稳定的驱动电压操作的发光器件，以及用于制造发光器件的方法。

技术方案

在实施例中，发光器件包括：第二电极层；第二电极层上的第二导电型半导体层；电流阻挡层，该电流阻挡层包括第二导电型半导体层的氧化物；第二导电型半导体层上的有源层；有源层上的第一导电型半导体层；以及第一导电型半导体层上的第一电极层。

在实施例中，发光器件包括：第二电极层；第二电极层上的第二导电型半导体层；第二导电型半导体层上的有源层；有源层上的第一导电型半导体层；第一导电型半导体层中的电流阻挡层；以及第一导电型半导体层上的第一电极层。

有益效果

实施例能够提供具有新结构的发光器件，和用于制造发光器件的方法。

实施例还提供具有提高的光提取效率的发光器件，和用于制造发光器件的方法。

实施例还提供能够抑制电流集中在特定区域流动的发光器件，和用于制造发光器件的方法。

实施例还提供能够以稳定的驱动电压操作的发光器件，和用于制造发光器件的方法。

附图说明

图1至图6是解释根据第一实施例的发光器件和用于制造发光器件的方法的截面图。

图7是解释根据第二实施例的发光器件的截面图。

图8是解释根据本发明的第三实施例的发光器件的截面图。

图9至图15是解释根据第四实施例的发光器件和用于制造发光器件的方法的截面图。

图16是解释根据第五实施例的发光器件的截面图。

图17是图15中示出的电流阻挡层的平面图。

图18是图16中所示的电流阻挡层的平面图。

具体实施方式

在下面的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)被称为在另一层或者衬底“上”时，它能够直接地在其它的层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层的“下方”时，它能够直接地位于其它层的下方，并且也可以存在一个或者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它能够仅仅是两个层之间的层，或者也可以存在一个或者多个中间层。

在附图中，为了澄清而夸大区域和层的厚度。而且，每个元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。

在下文中，将会参考附图详细地描述根据实施例的发光器件和用于制造发光器件的方法。

图1至图6是解释根据第一实施例的发光器件和用于制造发光器件的方法的截面图。

参考图6，根据第一实施例的发光器件包括第二电极层90、第二电极层90上的欧姆接触层80、欧姆接触层80上的第二导电型半导体层50、有源层40、第一导电型半导体层30、以及第一导电型半导体层30上的第一电极100。

而且，用于改变电流路径的电流阻挡层70被布置在第二导电型半导体层50上。

欧姆接触层80的底表面和侧表面可以与第二电极层90接触。欧姆接触层80的顶表面和第二电极层90的顶表面可以被布置在相同的水平面上。

第一电极层100和欧姆接触层80被布置在垂直方向上。第一电极层100和第二电极层90可以被布置在垂直方向上。即，至少部分第一电极层100和欧姆接触层80或者第二电极层90可以被布置在同一垂直面上。