[发明专利]电子材料用清洗水、电子材料的清洗方法及溶气水的供给系统有效
| 申请号： | 200980113462.1 | 申请日： | 2009-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102007579A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 井田纯一;床岛裕人 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B3/08;C11D7/02;C11D17/08;G02F1/13;G02F1/1333;G03F1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 熊玉兰;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 材料 清洗 方法 溶气水 供给 系统 | ||
1.电子材料用清洗水，其是包含含有氧及氩作为溶解气体的溶气水的电子材料用清洗水，其特征在于，
溶解氧浓度为8mg/L以上，
含有相对于溶解氧气量及溶解氩气量的合计量为2体积％以上的溶解氩气。
2.如权利要求1所述的电子材料用清洗水，其特征在于，pH为7以上。
3.如权利要求2所述的电子材料用清洗水，其特征在于，含有氨。
4.电子材料的清洗方法，其特征在于，使用权利要求1～3中任一项的电子材料用清洗水，清洗电子材料。
5.如权利要求4所述的电子材料的清洗方法，其特征在于，使用前述电子材料用清洗水，进行超声波清洗。
6.电子材料用清洗水的制造方法，其特征在于，使选自来自氧气高压储气瓶的氧气、来自氩气高压储气瓶的氩气以及使用PSA氧浓缩装置从空气取得的氧气及氩气的氧气与氩气溶解于水，制造权利要求1～3中任一项的电子材料用清洗水。
7.如权利要求6所述的电子材料用清洗水的制造方法，其特征在于，对水进行脱气处理，除去溶解气体，然后使除去的溶解气体量以下的前述氧气及氩气溶解。
8.溶气水的供给系统，其特征在于，其具备：
脱气装置，对水进行脱气处理，除去溶解气体；
气体溶解装置，使氧气及氩气溶解于来自该脱气装置的脱气处理水，调制溶解氧浓度为8mg/L以上、相对于溶解氧气量及溶解氩气量的合计量含有2体积％以上的溶解氩气的溶气水；以及
供给单元，供给来自该气体溶解装置的溶气水至使用点。
9.如权利要求8所述的溶气水的供给系统，其特征在于，前述脱气装置是具备气体透过膜的减压膜脱气装置，前述气体溶解装置是具备气体透过膜的气体溶解装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
