[发明专利]电子材料用清洗水、电子材料的清洗方法及溶气水的供给系统有效
申请号: | 200980113462.1 | 申请日: | 2009-03-25 |
公开(公告)号: | CN102007579A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 井田纯一;床岛裕人 | 申请(专利权)人: | 栗田工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/08;C11D7/02;C11D17/08;G02F1/13;G02F1/1333;G03F1/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 熊玉兰;高旭轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 材料 清洗 方法 溶气水 供给 系统 | ||
技术领域
本发明涉及用于湿式清洗半导体、液晶用基板等的电子材料(电子部件、电子构件等)的电子材料用清洗水,使用该电子材料用清洗水的电子材料的清洗方法及该电子材料用清洗水的制造方法。另外,本发明还涉及溶气水的供给系统。
背景技术
为了从半导体用硅基板、液晶用玻璃基板、光掩膜用石英基板等的电子材料的表面除去微粒、有机物、金属等,通过所谓称为RCA清洗法的以过氧化氢为基础的浓药液,在高温下进行湿式清洗。RCA清洗法是用于除去电子材料表面的金属等的有效的方法,但为了使用大量的高浓度酸、碱或过氧化氢,从废液中排出这些药液,在废液处理中,中和或沉淀处理等负担大,同时产生大量的污泥。
因此,代替高浓度药液,逐步使用在超纯水中溶解特定气体,根据需要添加微量的化学品而调制的溶气水(ガス溶解水)。如果通过溶气水进行清洗,则化学品对被清洗物的残留问题少,清洗效果也高,因此可谋求降低清洗用水的使用量。
以往,作为用作电子材料用清洗水的溶气水的特定气体,有氢气、氧气、臭氧气、稀有气体、二氧化碳气等。特别是添加了极微量的氨的溶氢水如果在并用超声波的清洗步骤中使用时,发挥极高的微粒除去效果(例如专利文献1)。
即使是使用溶气水的清洗,如果被清洗物变大,则清洗水的使用量变多,所以例如在使用溶氢水时,因为氢气的使用量变多,因此用于安全对策的费用变高。因此,为了进一步削减清洗成本,要求更价格低廉且清洗效果高的溶气水。
专利文献1:日本特开2007-243113号公报
发明内容
本发明是鉴于上述以往的实际状况而做出的发明,其目的在于,提供发挥与以往的溶气水相比格外高的清洗效果的电子材料用清洗水,和使用该电子材料用清洗水的电子材料的清洗方法及该电子材料用清洗水的制造方法。
另外,本发明的目的在于,提供可以有效率地制造这样的溶气水,可以供应至使用点的溶气水的供给系统。
本发明的电子材料用清洗水为,包含含有氧及氩作为溶解气体的溶气水的电子材料用清洗水,其中,溶解氧浓度为8mg/L以上,相对于溶解氧气量及溶解氩气量的合计量含有2体积%以上的溶解氩气。
优选该电子材料用清洗水的pH为7以上。
该电子材料用清洗水还可以含有氨。
本发明的电子材料的清洗方法的特征在于,使用所述电子材料用清洗水,清洗电子材料。
还可以使用该清洗水,超声波清洗电子材料。
本发明的电子材料用清洗水的制造方法为,使选自来自氧气高压储气瓶的氧气、来自氩气高压储气瓶的氩气以及使用PSA氧浓缩装置从空气取得的氧气及氩气的氧气与氩气溶解于水,制造上述本发明的电子材料用清洗水。
在该制造方法中,可以对水进行脱气处理,除去溶解气体,然后使除去的溶解气体量以下的前述氧气及氩气溶解。
本发明的溶气水的供给系统具备:脱气装置,对水进行脱气处理,除去溶解气体;气体溶解装置,使氧气及氩气溶解于来自该脱气装置的脱气处理水,调制溶解氧浓度为8mg/L以上、相对于溶解氧气量及溶解氩气量的合计量含有2体积%以上的溶解氩气的溶气水;以及供给单元,供给来自该气体溶解装置的溶气水至使用点。
该脱气装置可以是具备气体透过膜的减压膜脱气装置,气体溶解装置可以是具备气体透过膜的气体溶解装置。
溶解氧浓度为8mg/L以上,相对于溶解氧气量及溶解氩气量的合计量含有2体积%以上的溶解氩气的溶解氧/氩气的水具有显著优异的清洗效果。
包含这样的溶解氧/氩气的水的本发明的电子材料用清洗水,即使溶解气体量少、使用的化学品量也少,也可以得到高清洗效果,因此可以安全容易地且价格低廉地制造,使用该电子材料用清洗水,可以以少的清洗水量安全容易地且价格低廉有效率地清洗被微粒等污染的电子材料。
另外,根据本发明的溶气水的供给系统,可以有效率地制造这样清洗效果优异的溶气水,向使用点供给。
附图说明
图1是表示本发明的溶气水的供给系统的实施方式的系统图。
图2是表示本发明的溶气水的供给系统的别的实施方式的系统图。
图3是表示实验例1的溶气水中溶解氧气体/溶解氩气体比(体积百分数)与清洗所致的微粒的除去率的关系图。
图4是表示实施例1、2及比较例1的溶气水的溶解氧浓度与清洗所致的微粒的除去率的关系图。
具体实施方式
以下,详细说明本发明的实施方式。
[电子材料用清洗水(溶气水)]
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造