[发明专利]有机物被覆合成云母粉体、其制备方法以及使用其的化妆品

权利要求书

1.有机物被覆合成云母粉体的制备方法，其特征在于，具备：

预处理工序，其中，使合成云母粉体与铵离子在水中接触后，通过固液分离除去液相，将固相于200℃以下干燥，使NH₃挥发，和

被覆工序，其中，使有机表面处理剂附着于预处理过的合成云母粉体的表面后，进行烧结处理，在合成云母粉体表面形成有机物被覆层。

2.权利要求1的有机物被覆合成云母粉体的制备方法，其特征在于，铵离子供给源为NH₃或水溶性铵盐。

3.权利要求1或2的有机物被覆合成云母粉体的制备方法，其特征在于，相对于合成云母粉体，使用换算成氮为1～30％质量的铵离子。

4.权利要求1～3中任一项的有机物被覆合成云母粉体的制备方法，其特征在于，有机表面处理剂为有机硅树脂、硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂或全氟烷基烷氧基硅烷。

5.权利要求1～4中任一项的有机物被覆合成云母粉体的制备方法，其特征在于，烧结温度为100～260℃。

6.权利要求1～5中任一项的有机物被覆合成云母粉体的制备方法，其特征在于，有机表面处理剂为有机硅树脂，烧结温度为170～260℃。

7.权利要求1～6中任一项的有机物被覆合成云母粉体的制备方法，其特征在于，有机表面处理剂含有具有Si-H基的有机硅树脂。

8.权利要求6或7的有机物被覆合成云母粉体的制备方法，其特征在于，有机表面处理剂中的[Si(R)₂O]单元∶[SiH(R)O]单元的摩尔比为1∶0.05～1∶0.30的范围，其中，R分别为相同或不同的一价烃基。

9.权利要求8的有机物被覆合成云母粉体的制备方法，其特征在于，R为甲基。

10.权利要求1～9中任一项的有机物被覆合成云母粉体的制备方法，其特征在于，待预处理的合成云母粉体在100℃、1小时的热水溶出试验中的氟离子溶出量为20ppm以下，在250℃下的叔丁醇分解率为不足20％，

预处理过的合成云母粉体在100℃、1小时的热水溶出试验中的氟离子溶出量为20ppm以下，在250℃下的叔丁醇分解率为20％以上。

11.权利要求1～10中任一项的有机物被覆合成云母粉体的制备方法，其特征在于，在预处理工序中除去合成云母粉体表面的层间阳离子的20％以上。

12.通过权利要求1～11中任一项的方法制得的有机物被覆合成云母粉体，其特征在于，所述有机物被覆合成云母粉体中的含碳量为烧结前的有机表面处理剂附着合成云母粉体中的含碳量的40～60％质量。

13.权利要求12的有机物被覆合成云母粉体，其中，使用具有Si-H基的有机硅树脂作为有机表面处理剂，且有机物被覆合成云母粉体的氢生成量不足0.1ml/g。

14.有机物被覆合成云母粉体，所述有机物被覆合成云母粉体通过使有机表面处理剂附着于合成云母粉体表面后进行烧结而制得，

其特征在于，有机物被覆合成云母粉体中的含碳量为烧结前的有机表面处理剂附着合成云母粉体中的含碳量的40～60％质量。

15.权利要求14的有机物被覆合成云母粉体，其特征在于，有机表面处理剂为有机硅树脂、硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂、全氟烷基烷氧基硅烷。

16.权利要求14或15的有机物被覆合成云母粉体，其中，有机表面处理剂含有具有Si-H基的有机硅树脂，且有机物被覆合成云母粉体的氢生成量不足0.1ml/g。

17.权利要求16的有机物被覆合成云母粉体，其特征在于，有机表面处理剂中的[Si(R)₂O]单元∶[SiH(R)O]单元的摩尔比为1∶0.05～1∶0.30的范围，其中，R分别为相同或不同的一价烃基。

18.权利要求17的有机物被覆合成云母粉体，其特征在于，R为甲基。

19.权利要求12～18中任一项的有机物被覆合成云母粉体，其特征在于，在100℃、1小时的热水溶出试验中的氟离子溶出量为20ppm以下。