[发明专利]以浸渍工艺使用施加于焊接触点上的助熔底部填充组合物制造半导体包装物或线路组件的方法

权利要求书

1.制造半导体包装物的方法，包括以下步骤：

a.将充当助熔底部填充组合物的可固化组合物分配到容器中；

b.调节所述可固化组合物在所述容器内的高度；

c.提供附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片并相对于所述容器分配所述芯片满足所述焊接触点的至少一部分穿入所述可固化组合物以致在所述焊接触点的穿入所述可固化组合物的部分上提供涂层；

d.按间隔开的关系将该附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片放置到电路板或载体衬底上，所述一个或多个焊接触点在其上具有可固化组合物的涂层以限定在它们之间的间隙并产生半导体包装组件；和

e.使所述半导体包装组件经历足以使所述一个或多个焊接触点在所述间隙内回流和使所述可固化组合物固化的条件，其中所述一个或多个焊接触点在所述间隙内遇到线路板或载体衬底；和

f.任选地，将附加量的所述可固化组合物分配到所述容器中和/或调节所述容器内的可固化组合物的高度。

2.权利要求1的方法，其中所述可固化组合物是单组分的并且在室温下具有至少24小时的保存限期。

3.权利要求1的方法，其中所述可固化组合物按化学计量关系包含双酚F环氧树脂和环脂族环氧树脂和酸性助熔组分的组合的环氧树脂组分。

4.权利要求3的方法，其中所述酸性助熔组分初始用来为所述一个或多个焊接触点提供助熔剂，然后用来使所述环氧树脂组分固化。

5.权利要求1的方法，其中所述可固化组合物在室温下具有1000-6000cps的流变性。

6.权利要求1的方法，其中所述一个或多个焊接触点由基本上不含铅的焊接合金构造。

7.权利要求3的方法，其中所述酸性助熔组分选自松香和二元羧酸。

8.通过使用一种组合物而提供助熔和底部填充的方法，该方法的步骤包括

a.提供附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片；

b.将助熔底部填充组合物分配到所述焊接触点的至少一部分上以在其上形成涂层；

c.将所述附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片放置到线路板或载体衬底上，所述一个或多个焊接触点在其上具有助熔底部填充组合物的涂层以在它们之间建立电互连和形成组件；和

d.使所述组件经历足以将所述助熔底部填充组合物固化的升高的温度条件。

9.权利要求8的方法，其中所述助熔底部填充组合物按化学计量关系包含双酚F环氧树脂和环脂族环氧树脂和酸性助熔组分的组合的环氧树脂组分。

10.权利要求9的方法，其中所述酸性助熔组分初始用来为所述一个或多个焊接触点提供助熔剂，然后用来使所述环氧树脂组分固化。

11.权利要求1的方法，其中所述焊接触点由选自以下的物质构造：

Sn63-Pb37，Sn10-Pb90，Sn5-Pb95，Sn62-Pb36-Ag2，Sn63-Pb34.5-Ag2-Sb0.5，Sn96.5-Ag3.5，Sn-Ag1-Cu0.5，Sn-Ag2.6-Cu0.6，Sn-Ag3-Cu0.5，Sn-Ag3.2-Cu0.5，Sn-Ag3.5-Cu0.75，Sn-Ag3.8-Cu0.7，Sn-Ag4-Cu0.5，Sn-Ag1-Cu0.5-Ni0.05-Ge，Sn-Ag1.2-Cu0.5-Ni0.02-Ge，Sn-Ag3-Cu0.5-Ni0.05-Ge，Sn91-Zn9，Sn-Zn8-Ag0.5-Al0.01-Ga0.1，Sn58-Bi42和SnAg3.8Cu0.7Bi3Ni0.15Sb1.4。

12.制造线路组件的方法，包括以下步骤：

a.将充当助熔底部填充组合物的可固化组合物分配到容器中；

b.调节所述可固化组合物在所述容器内的高度；

c.提供附接了一个或多个焊接触点的半导体包装物并相对于所述容器分配所述包装物满足所述焊接触点的至少一部分穿入所述可固化组合物以致在所述焊接触点的穿入所述可固化组合物的部分上提供涂层；

d.按间隔开的关系将该附接了一个或多个焊接触点的半导体包装物放置到线路板或载体衬底上，所述一个或多个焊接触点在其上具有可固化组合物的涂层以限定在它们之间的间隙并产生线路组件；和

e.使所述线路组件经历足以使所述一个或多个焊接触点在所述间隙内回流和使所述可固化组合物固化的条件，其中所述一个或多个焊接触点在所述间隙内遇到线路板或载体衬底；和

f.任选地，将附加量的所述可固化组合物分配到所述容器中和/或调节所述容器内的可固化组合物的高度。