[发明专利]以浸渍工艺使用施加于焊接触点上的助熔底部填充组合物制造半导体包装物或线路组件的方法有效
申请号: | 200980114551.8 | 申请日: | 2009-03-18 |
公开(公告)号: | CN102084482A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | C·B·钱;季青;M·卡瑞;N·普勒;G·凯利 | 申请(专利权)人: | 汉高公司;汉高有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60;H01L23/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 宓霞 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 浸渍 工艺 使用 施加 焊接 触点 底部 填充 组合 制造 半导体 包装 线路 组件 方法 | ||
技术领域
本发明涉及以浸渍工艺使用施加于焊接触点上的助熔底部填充组合物制造半导体包装物或线路组件的方法。
背景技术
半导体芯片通过焊点接合到衬底上的半导体器件组件可以使用底部填充密封材料来填充半导体芯片和衬底之间的空间以帮助吸收应力和冲击。
施加底部填充密封材料的常规方法包括毛细管流动底部填充材料、无流动底部填充材料和晶片施加的底部填充材料。
迄今为止,还没有作为浸渍工艺施加的底部填充密封材料,更不用说具有助熔能力的底部填充密封材料。直到现在。
发明内容
发明概述
本发明在一个方面中提供半导体包装物的制造方法,它的步骤包括:
a.将充当助熔底部填充组合物的可固化组合物分配到容器中;
b.调节所述可固化组合物在所述容器内的高度;
c.提供附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片并相对于所述容器分配所述芯片满足所述焊接触点的至少一部分穿入所述可固化组合物以致在所述焊接触点的穿入所述可固化组合物的部分上提供涂层;
d.按间隔开的关系将该附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片放置到线路板或载体衬底上,所述一个或多个焊接触点在其上具有可固化组合物的涂层以限定在它们之间的间隙并产生半导体包装组件;和
e.使所述半导体包装组件经历足以使所述一个或多个焊接触点在所述间隙内回流和使所述可固化组合物固化的条件,其中所述一个或多个焊接触点在所述间隙内遇到线路板或载体衬底。
在一个任选的步骤中,考虑将附加量的所述可固化组合物分配到所述容器中和/或调节所述容器内的可固化组合物的高度,以致确保恰当量的可固化组合物存在以便涂覆所述一个或多个焊接触点。
本发明在另一个方面中提供通过使用一种组合物提供助熔和底部填充的方法,它的步骤包括:
a.提供附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片;
b.将助熔底部填充组合物分配到所述焊接触点的至少一部分上以在其上形成涂层;
c.将所述附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片放置到线路板或载体衬底上,所述一个或多个焊接触点在其上具有助熔底部填充组合物的涂层以在它们之间建立电互连和形成组件;和
d.使所述组件经历足以将所述助熔底部填充组合物固化的升高的温度条件。
因此,通过这些方法,将半导体器件(例如附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片)放置到载体衬底或线路板上并当该器件经由回流移动时,所述助熔底部填充组合物提供对于形成焊接头所必要的作用并且所述助熔底部填充组合物的热固性树脂包封焊接球体,从而提供附加的支撑和保护。因为这些方法允许焊接头形成和球体包封,所以可以实现更大的工艺优化。可以消除传统毛细管流动底部填充所要求的设备和时间并可以显著地提高生产量。
发明详述
因此,如上所述,本发明在一个方面中提供半导体包装物的制造方法,它的步骤包括:
a.将充当助熔底部填充组合物的可固化组合物分配到容器中;
b.调节所述可固化组合物在所述容器内的高度;
c.提供附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片并相对于所述容器分配所述芯片满足所述焊接触点的至少一部分穿入所述可固化组合物以致在所述焊接触点的穿入所述可固化组合物的部分上提供涂层(希望地,所述焊接触点应该接收其直径或高度的25%-80%的所述组合物的涂层);
d.按间隔开的关系将该附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片放置到线路板或载体衬底上,所述一个或多个焊接触点在其上具有可固化组合物的涂层以限定在它们之间的间隙并产生半导体包装组件;和
e.使所述半导体包装组件经历足以使所述一个或多个焊接触点在所述间隙内回流和使所述可固化组合物固化的条件,其中所述一个或多个焊接触点在所述间隙内遇到线路板或载体衬底。
在一个任选的步骤中,考虑将附加量的所述可固化组合物分配到所述容器中和/或调节所述容器内的可固化组合物的高度,以致确保恰当量的可固化组合物存在以便涂覆所述一个或多个焊接触点。所谓的焊接触点是指焊接垫、焊料球、焊接球体或其它焊接电互连件。
本发明在另一个方面中提供通过使用一种组合物提供助熔和底部填充的方法,它的步骤包括:
a.提供附接了一个或多个焊接触点的半导体芯片;
b.将助熔底部填充组合物分配到所述焊接触点的至少一部分上以在其上形成涂层;
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