[发明专利]被曝光基板用防水剂组合物、抗蚀图形的形成方法及利用该形成方法制造的电子器件、被曝光基板的防水处理方法、被曝光基板用防水剂套装以及使用该套装的被曝光基板的防水处理方法

权利要求书

1.被曝光基板用防水剂组合物，其中，至少包含以下述通式(1)表示的有机硅化合物和溶剂，

式中，R¹为碳原子数14～30的1价有机基团，R²、R³、R⁴分别独立地为碳原子数1～10的1价有机基团或水解性基团，R²、R³、R⁴中的至少1个为水解性基团。

2.权利要求1所述的被曝光基板用防水剂组合物，其中，进一步包含选自酸及其盐、碱及其盐、以及类化合物的至少1种助剂。

3.权利要求2所述的被曝光基板用防水剂组合物，其中，所述酸为碳原子数1～10的羧酸。

4.权利要求1所述的被曝光基板用防水剂组合物，其中，所述溶剂的沸点为70～200℃。

5.权利要求1所述的被曝光基板用防水剂组合物，其中，组合物中的所述有机硅化合物的比例为0.01～6质量％。

6.抗蚀图形的形成方法，该方法是采用使液体存在于曝光装置的投影光学系统和被曝光基板之间来进行曝光的浸没式曝光的抗蚀图形形成方法，其中，

对用被曝光基板用防水剂组合物进行了处理的基板进行曝光，所述防水剂组合物至少包含以下述通式(1)表示的有机硅化合物和溶剂，

式中，R¹为碳原子数14～30的1价有机基团，R²、R³、R⁴分别独立地为碳原子数1～10的1价有机基团或水解性基团，R²、R³、R⁴中的至少1个为水解性基团。

7.权利要求6所述的抗蚀图形的形成方法，其中，用所述组合物对基板的侧面、基板的顶面的周边部和/或基板的底面的周边部进行处理。

8.权利要求6所述的抗蚀图形的形成方法，其中，用所述组合物对基板的侧面、基板的整个顶面、和基板的底面的周边部进行处理。

9.电子器件，其是通过权利要求6～8中任一项所述的抗蚀图形的形成方法制成的。

10.被曝光基板的防水处理方法，其中，使用至少包含以下述通式(1)表示的有机硅化合物和溶剂的防水剂组合物，

式中，R¹为碳原子数14～30的1价有机基团，R²、R³、R⁴分别独立地为碳原子数1～10的1价有机基团或水解性基团，R²、R³、R⁴中的至少1个为水解性基团。

11.被曝光基板用防水剂套装，其包括A液和B液，所述A液至少包含以下述通式(1)表示的有机硅化合物和溶剂，所述B液包含选自酸及其盐、碱及其盐、以及类化合物的至少1种助剂，

式中，R¹为碳原子数14～30的1价有机基团，R²、R³、R⁴分别独立地为碳原子数1～10的1价有机基团或水解性基团，R²、R³、R⁴中的至少1个为水解性基团。

12.被曝光基板的防水处理方法，其中，使用权利要求11所述的被曝光基板用防水剂套装，在临使用前将A液和B液混合。

13.权利要求1所述的被曝光基板用防水剂组合物，其中，组合物中的所述有机硅化合物的比例为0.1～5质量％。

14.权利要求2所述的被曝光基板用防水剂组合物，其中，所述助剂包括三氟甲磺酸铵。