[发明专利]被曝光基板用防水剂组合物、抗蚀图形的形成方法及利用该形成方法制造的电子器件、被曝光基板的防水处理方法、被曝光基板用防水剂套装以及使用该套装的被曝光基板的防水处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及被曝光基板用防水剂组合物、抗蚀图形的形成方法及利用该形成方法制造的电子器件、被曝光基板的防水处理方法、被曝光基板用防水剂套装(set)以及使用该套装的被曝光基板的防水处理方法。

背景技术

近年来，在电子器件(例如半导体器件、液晶显示元件、磁头和显微透镜等)的制造工艺等中、尤其是半导体器件的制造中所采用的浸没式曝光法(immersion lithography process)的开发正如火如荼地进行着，所述浸没式曝光法是使曝光装置的投影光学系统和被曝光基板(包括半导体基板、晶片(wafer)等)之间充满浸渍液来进行曝光的方法。作为浸渍液，一般采用纯水。但是，存在该曝光处理时所用的浸渍液从被曝光基板的被处理面的周边部迂回至背面而污染被曝光基板的背面的问题。

作为提高晶片的防水性的方法，广泛实施了使用六甲基二硅氮烷(HMDS)的表面处理。但是，HMDS处理并非针对浸没式曝光法的处理方法，其防水性不足。对此，提出了使用具有被氟取代的烷基或链烯基的硅烷化剂的方法(专利文献1)、在半导体基板背面的特定范围内的区域实施HMDS处理的方法(专利文献2)等。

但是，专利文献1的方法中，存在产生涂布于基板表面的抗蚀剂等药液被表面排斥而无法涂布的部位的问题；专利文献2的方法中，存在防水性不足的问题。此外，为了形成抗蚀图形，在形成了被加工膜的基板上形成抗蚀膜(resist film)等有机膜，但专利文献1和2中均存在如下问题：被加工膜与其正上方的有机膜的附着力不足，发生膜从晶片边缘剥离的现象，在浸没式曝光时，因浸渍液的对流而导致该膜剥离后产生的异物混入浸渍液，从而引发图形缺陷。此外，如果被加工膜与其正上方的有机膜的附着力不足，则存在容易引起抗蚀图形的破坏(倒壊)的问题。应予说明，抗蚀图形的破坏是指随着抗蚀图形的微细化，纵横比(即膜厚H/线宽d)增大，基板与抗蚀图形的接触面积减小，抗蚀图形变得容易破坏。

专利文献1：日本专利特开2007-019465号公报

专利文献1：日本专利特开2007-194503号公报

发明内容

因此，本发明的目的是提供可抑制由浸渍液所导致的被曝光基板背面的污染，并且可提高被加工膜与其正上方的有机膜的附着性而抑制膜剥离，且操作性优良的被曝光基板用防水剂组合物、抗蚀图形的形成方法及利用该形成方法制造的电子器件、被曝光基板的防水处理方法、被曝光基板用防水剂套装以及使用该套装的被曝光基板的防水处理方法。

为解决上述问题，本发明的被曝光基板用防水剂组合物的特征在于，至少包含以下述通式(1)表示的有机硅化合物和溶剂。

式中，R¹为碳原子数14～30的1价有机基团，R²、R³、R⁴分别独立地为碳原子数1～10的1价有机基团或水解性基团(hydrolyzable group)，R²、R³、R⁴的至少1个为水解性基团。

此外，本发明的抗蚀图形的形成方法是，采用使液体存在于曝光装置的投影光学系统和被曝光基板之间来进行曝光的浸没式曝光的抗蚀图形形成方法，其特征在于，对用被曝光基板用防水剂组合物处理过的基板进行曝光，所述组合物至少包含以下述通式(1)表示的有机硅化合物和溶剂。

式中，R¹为碳原子数14～30的1价有机基团，R²、R³、R⁴分别独立地为碳原子数1～10的1价有机基团或水解性基团，R²、R³、R⁴的至少1个为水解性基团。

此外，本发明的电子器件的特征在于，其是利用上述抗蚀图形形成方法制备的电子器件。

此外，本发明的被曝光基板的防水处理方法的特征在于，使用至少包含以下述通式(1)表示的有机硅化合物和溶剂的防水剂组合物。

式中，R¹为碳原子数14～30的1价有机基团，R²、R³、R⁴分别独立地为碳原子数1～10的1价有机基团或水解性基团，R²、R³、R⁴的至少1个为水解性基团。