[发明专利]氮化硼与硼-氮化物衍生材料的沉积方法

权利要求书

1.一种处理一基板的方法，该方法包含：

将一基板放到一沉积腔室内，所述基板具有邻接基板表面的基板结构；

沉积一间隔层至该基板结构和基板表面上；以及

蚀刻该间隔层而露出基板结构和一部分的基板表面，其中经蚀刻的间隔层的一部分仍邻接基板结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔层包含氮化硼材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻间隔层的步骤包含各向异性蚀刻该间隔层。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔层包含一基底间隔层和置于该基底间隔层上的一衬底层。

5.如权利要求4所述的方法，其中蚀刻间隔层的步骤包含各向异性蚀刻所述衬底层而露出基底间隔层，以及各向同性蚀刻露出的基底间隔层。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述基底间隔层包含氮化硼材料，所述衬底层包含氮化硅。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述基板结构为一牺牲掩模，且所述方法更包含移除该牺牲掩模。

8.如权利要求2所述的方法，其中所述氮化硼材料更包含碳、硅、氯、氧、或其组合。

9.一种形成用于栅电极的侧壁间隔物的方法，该方法包含：

将一基板放到一沉积腔室内，且所述基板具有邻接基板表面的一栅极结构；

流入一处理气体至该沉积腔室中，所述处理气体包含含硼前驱物和含氮前驱物；

在该沉积腔室中产生等离子体；

沉积一氮化硼材料层至该基板表面和该栅极结构上；以及

蚀刻该氮化硼材料层而露出该栅极结构和基板表面，其中一部分的氮化硼材料层仍邻接基板结构。

10.如权利要求9所述的方法，其中蚀刻氮化硼材料层的步骤包含各向异性蚀刻工艺。

11.如权利要求9所述的方法，更包含在蚀刻氮化硼材料层前，沉积一衬底层于该氮化硼材料层上。

12.如权利要求11所述的方法，更包含在蚀刻氮化硼材料层前，各向异性蚀刻衬底层而露出该氮化硼材料层。

13.如权利要求12所述的方法，其中蚀刻氮化硼材料层的步骤包含各向同性蚀刻露出的基底间隔层。

14.如权利要求9所述的方法，其中所述处理气体更包含含碳前驱物、含硅前驱物、含氧前驱物、和其组合。

15.一种制造半导体掩模的方法，该方法包含：

提供一半导体堆栈结构，具有邻接设置其上的一牺牲掩模；

沉积一共形氮化硼材料层于该牺牲掩模和半导体堆栈结构上；

蚀刻该氮化硼材料层以提供一间隔物掩模，该间隔物掩模具有多个邻接该牺牲掩模的侧壁的间隔物接线，并且露出该牺牲掩模的顶表面；以及

移除该牺牲掩模。

16.如权利要求15所述的方法，更包含：

沉积及图案化所述间隔物掩模和牺牲掩模上的光阻层，以露出一部分的间隔物掩模；以及

在蚀刻氮化硼材料层以提供间隔物掩模前，蚀刻该间隔物掩模的露出部分，藉以剪裁该间隔物掩模。

17.如权利要求16所述的方法，更包含：

沉积及图案化所述间隔物掩模和牺牲掩模上的光阻层，以露出一部分的该间隔物掩模；以及

在移除牺牲掩模前，蚀刻该间隔物掩模的露出部分，藉以剪裁该间隔物掩模。

18.如权利要求15所述的方法，其中所述氮化硼材料更包含碳、硅、氯、氧、或其组合。

19.如权利要求15所述的方法，其中所述氮化硼材料层包含一基底氮化硼材料层和置于该基底氮化硼材料层上的一衬底层。

20.如权利要求19所述的方法，其中蚀刻氮化硼材料层以提供间隔物掩模的步骤包含各向异性蚀刻衬底层而露出基底氮化硼材料层，以及各向同性蚀刻露出的基底氮化硼材料层。

21.如权利要求20所述的方法，其中所述衬底层包含氮化硅，所述牺牲掩模包含选自由氮化硅、氧化硅、非晶硅、非晶碳、和其组合构成群组的一材料。