[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括以至少一维方式配置的多个单元部件，其特征在于，

各单元部件具备：

基板，由宽带隙半导体构成；

n型漂移层，其形成于所述基板上，由所述宽带隙半导体构成；

p型阱，设置在所述漂移层内；

第1n型杂质区域，设置在所述阱内；

源极电极，与所述第1n型杂质区域电连接；

第2n型杂质区域，设置在所述漂移层中、所述阱和相邻的单元部件的阱之间，杂质浓度比所述漂移层高；

栅极绝缘膜，其设置在所述第2n型杂质区域的至少一部分上、所述阱的至少一部分上、以及所述第1n型杂质区域的至少一部分上；

栅极电极，设置在所述栅极绝缘膜上；和

第3n型杂质区域，形成在所述漂移层中、在与所述第2n型杂质区域相邻并且从所述漂移层的表面在厚度方向观察所述漂移层时包含所述单位部件顶点的位置，其杂质浓度比所述第2n型杂质区域低。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述各单元部件还具有：漏极电极，其设置在与所述基板的与形成所述漂移层一面相反侧的背面，

设定所述第3n型杂质区域的杂质浓度，使得以能保持高耐压的极性对所述漏极电极施加电压，在所述第2n型杂质区域完全耗尽之前所述第3n型杂质区域耗尽。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在将所述阱与相邻的单元部件的阱之间的最小间隔设为a的情况下，所述第3n型杂质区域位于距离所述阱的外周超过a/2的位置。

4.根据权利要求1至3的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述单元部件以二维方式排列。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

从所述漂移层的表面在厚度方向观察所述漂移层时，所述各单元部件呈四边形状，并以交错状配置。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

从所述漂移层的表面在厚度方向观察所述漂移层时，所述各单元部件呈四边形状，并以格子状配置。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

从所述漂移层的表面在厚度方向观察所述漂移层时，所述各单元部件呈六边形状，各单元部件以相邻的3个单元部件的顶点重合的方式配置。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

在从所述漂移层的表面在厚度方向观察所述漂移层的情况下，所述第2n型杂质区域仅设置在规定各单元部件的阱的外周、和规定与所述各单元部件相邻的单元部件的阱的外周彼此大致平行的部分之间，并与所述阱相接；所述第3n型杂质区域在各单元部件的阱之间，以掩埋所述第2n型杂质区域以外的区域的方式设置。

9.根据权利要求1至8的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

各单元部件还具备：沟道层，设置在所述第2n型杂质区域的至少一部分上、所述阱的至少一部分上、以及所述第1n型杂质区域的至少一部分上，位于所述栅极绝缘膜的下方。

10.根据权利要求1至9的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，述宽带隙半导体是SiC。

11.根据权利要求1至10的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第3n型杂质区域的杂质浓度比1×10¹⁷cm^-3小。