[发明专利]通过分子键合组装晶片的方法无效
| 申请号： | 200980115478.6 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102017074A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | M·布鲁卡特;B·阿斯帕尔;C·拉加和;T·巴尔热 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L27/146;H01L25/065;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 分子 组装 晶片 方法 | ||
1.一种通过分子键合来键合两个晶片或衬底(20，30)的方法，该方法包括：
a)使待组装的晶片的表面(21，31)至少部分接触，
b)从施加到两个晶片的至少其中之一上的压力点(43)引发第一键合波传播(44)，
c)在涵盖所述压力点(43)附近的区域引发第二键合波传播(46)。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于在所述两个晶片其中之一的边缘附近施加所述压力点(43)。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于在步骤a)中，在待组装的晶片的表面(21，31)之间嵌入分隔元件(41)，以及在步骤c)中，去掉所述分隔元件(41)以引发所述第二键合波传播(46)。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在步骤b)之后和步骤c)之前，将所述分隔元件(41)移向所述晶片(20，30)的内侧。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤c)之前，在至少位于压力点(63)附近的区域使组装的晶片(50，60)的表面(51，61)部分地非键合。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于使组装的晶片(50，60)的表面(51，61)在包括局部压力点(63)的区域上部分地非键合。
7.一种用于制造复合三维结构(300)的方法，包括在第一衬底(100)的一个表面上制造第一层微部件(110)的步骤，以及将第一衬底的具有微部件层的表面键合到第二衬底(200)上的步骤，其特征在于根据如权利要求1至6任一项所述的组装方法来组装第一和第二衬底(100，200)。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于该方法在键合步骤之后包括减薄所述第一衬底(100)的步骤。
9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于该方法进一步包括在第一衬底的与带有第一层微部件的表面相对的表面上制造第二层微部件(140)的步骤。
10.如权利要求7至9的任一项所述的方法，其特征在于该方法包括，在键合步骤之前的，在所述第一衬底(100)的包括第一层微部件(110)的表面上形成氧化物层的步骤。
11.如权利要求7至10的任一项所述的方法，其特征在于，所述第一衬底(100)为SOI型结构。
12.如权利要求7至11的任一项所述的方法，其特征在于，至少第一层微部件包括图像传感器。
13.如权利要求7至12的任一项所述的方法，其特征在于，所述第二衬底(200)的材料为透明材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
