[发明专利]无定形二氧化硅质粉末、其制造方法以及用途

说明书

技术领域

本发明涉及无定形二氧化硅质粉末、其制造方法以及用途。

背景技术

近年来，由于对地球环境保全的意识提高，对于用于半导体元件的封装的半导体封装材料，要求不使用环境负荷大的锑化合物、溴化环氧树脂等有害的阻燃剂而赋予阻燃性、对不含铅的无铅焊料赋予耐热性等。半导体封装材料主要由环氧树脂、酚醛树脂固化剂、固化促进剂、无机质填充材料等构成，为了满足上述那样的要求特性，而采取在环氧树脂、酚醛树脂等中应用含有大量芳香环的具有高阻燃性及高耐热性结构的物质的方法、高填充无机质填充材料的方法等。但是，这些方法中，半导体封装材料的封装时的粘度存在上升的倾向。

另一方面，为适应电子仪器的小型轻量化、高性能化的要求，半导体的内部结构向元件的薄型化、金线的小径化、大跨度(long span)化及布线间距的高密度化快速发展。若用高粘度化的半导体封装材料对这种半导体进行封装，则导致金线变形、金线切断、半导体元件的倾斜、狭缝未填充等问题增大的结果。因此，对于半导体封装材料，强烈要求其具有阻燃性，且能够降低封装时的粘度，减少成形不良。

为了满足这些要求，采取了通过改良半导体封装材料中使用的环氧树脂、酚醛树脂固化剂的方法等来实现低粘度化、提高成形性等方法(参照专利文献1、及2)。另外，为了提升环氧树脂的固化起始温度，而采取用抑制固化性的成分来保护反应性的底物的、所谓潜在化的方法作为固化促进剂的改良(参照专利文献3及4)。

作为无机质填充材料的改良，采取调整粒度分布的方法等，使得即使高填充、封装材料的粘度也不会上升(参照专利文献5、及6)。然而，这些方法中，低粘度效果、成形性提高效果不充分，目前还没有能够高填充无机质填充材料且降低封装时的粘度、进一步提高成形性的半导体封装材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-231159号公报

专利文献2：日本特开2007-262385号公报

专利文献3：日本特开2006-225630号公报

专利文献4：日本特开2002-284859号公报

专利文献5：日本特开2005-239892号公报

专利文献6：WO/2007/132771号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供即使高填充无机质填充材料、封装时的粘度也低、成形性进一步提高的半导体封装材料，并提供适于调制该半导体封装材料的无定形二氧化硅质粉末及其制造方法。

用于解决问题的方案

本发明为一种无定形二氧化硅质粉末，其中，使无定形二氧化硅质粉末吸附吡啶后，在大于或等于450℃但小于550℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量L与在大于或等于150℃但小于250℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量B之比L/B为0.8以下。

另外，本发明中优选的是，使无定形二氧化硅质粉末吸附吡啶后，在大于或等于150℃但小于550℃的温度下进行加热时的吡啶的总脱附量A中，在大于或等于150℃但小于250℃的温度下进行加热时的吡啶的脱附量B所占的比例(B/A)×100％为20％以上。

另外，本发明的无定形二氧化硅质粉末优选的是，比表面积为0.5～45m²/g，平均粒径为0.1～60μm，平均球形度为0.80以上。

另外，本发明为含有本发明的无定形二氧化硅质粉末的无机质粉末。

本发明中，前述无机质粉末优选为除本发明以外的无定形二氧化硅质粉末和/或氧化铝质粉末。

进而，本发明为一种无定形二氧化硅质粉末的制造方法，其特征在于，将含有原料二氧化硅质粉末和Al源物质的混合物喷射到由燃烧器形成的火焰中，制造无定形二氧化硅质粉末后，在温度60～150℃、相对湿度60～90％的环境下保持15～30分钟。

另外，本发明为在树脂中含有本发明的无定形二氧化硅质粉末的树脂组合物。作为前述树脂，优选环氧树脂。

进而，本发明为使用这些树脂组合物的半导体封装材料。

发明的效果

根据本发明，可提供流动性、粘度特性及成形性优异的树脂组合物、以及使用该树脂组合物的半导体封装材料。另外，可提供适于调制前述树脂组合物的无定形二氧化硅质粉末。

具体实施方式

以下，详细说明本发明。