[发明专利]改善在介电层和导电层间的黏着力与电致迁移性的方法

权利要求书

1.一种处理基板的方法，包含：

提供一基板，其包含一导电材料；

在该导电材料上执行一前处理工艺；

流入一硅系化合物至该导电材料上以形成一硅化物层；

在该硅化物层上执行一后处理工艺；及

沉积一阻障介电层在该基板上。

2.如权利要求1所述的方法，其中该导电材料包含铜。

3.如权利要求1所述的方法，其中该硅化物层包含氮化硅。

4.如权利要求1所述的方法，其中该阻障层包含碳化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其中该执行后处理工艺的步骤包含：

对该导电材料的该表面执行一等离子氮化工艺。

6.如权利要求5所述的方法，其中该执行后处理工艺的步骤包含：

形成一氮硅化金属层在该基板上。

7.如权利要求5所述的方法，其中该氮硅化物层为氮硅化铜层。

8.如权利要求7所述的方法，其中该氮硅化铜层的厚度为约至约

9.一种处理基板的方法，包含：

提供一基板，其包含一导电材料；

流入一硅系化合物至该导电材料的表面上以形成一硅化物；

以一含氮等离子处理该基板，以形成一氮硅化金属层；及

沉积一阻障层在该基板上。

10.如权利要求9所述的方法，其中该导电材料包含铜，且该硅化物层包含氮化硅。

11.如权利要求9所述的方法，其中该阻障层包含碳化硅。

12.如权利要求9所述的方法，其中该氮硅化金属层包含氮硅化铜。

13.如权利要求9所述的方法，其中该含氮等离子是通过施加在一含氮气体中产生的RF功率而形成的。

14.如权利要求13所述的方法，其中施加RF功率的步骤包含：

在该基板上沉积该氮硅化金属层时，维持产生在该含氮等离子中的该RF功率。

15.一种处理基板的方法，包含：

提供一基板，其包含一导电材料；

在该导电材料上通过氨气来执行一氮前处理工艺；

流入一硅烷气体至该导电材料的表面上，以形成一硅化物；

以一含氨气的等离子来处理该硅化物，以形成一氮硅化金属；及

沉积一阻障介电层于该氮硅化物层上，其中该阻障介电层包含碳化硅。