[发明专利]磁记录介质、制造磁记录介质的方法和磁记录/再现装置

权利要求书

1.一种磁记录介质，其包括具有磁记录图形的磁性层和所述磁性层上的连续的保护性碳外涂层，所述磁记录图形包括构成磁记录区域的凸起和构成用于分离所述磁记录区域的边界区域的凹陷，所述磁记录介质的特征在于，所述碳外涂层的位于所述磁性层的所述构成磁记录区域的凸起上的部分的厚度大于所述碳外涂层的位于所述磁性层的所述构成边界区域的凹陷上的部分的厚度。

2.根据权利要求1的磁记录介质，其中所述边界区域具有改性的磁特性。

3.根据权利要求1或2的磁记录介质，其中所述磁性层的所述构成磁记录区域的凸起与所述磁性层的所述构成边界区域的凹陷之间的高度差在0.1nm到9nm的范围内。

4.根据权利要求1到3中任何一项的磁记录介质，其中所述碳外涂层的位于所述磁性层的所述凸起上的部分的上表面与所述碳外涂层的位于所述磁性层的所述凹陷上的部分的上表面之间的高度差在1nm到10nm的范围内。

5.根据权利要求1到4中任何一项的磁记录介质，其中所述碳外涂层的位于所述磁性层的所述凸起上的部分具有在1nm到5nm的范围内的厚度。

6.根据权利要求1到5中任何一项的磁记录介质，其中由所述磁性层中的所述凹陷构成的所述边界区域由氧化物构成。

7.一种用于制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：

形成具有磁记录图形的磁性层，所述磁记录图形包括构成磁记录区域的凸起和构成用于分离所述磁记录区域的边界区域的凹陷，以及

在所述磁性层上形成连续的保护性碳外涂层，

其特征在于，通过CVD方法以这样的方式实施所述连续的碳外涂层的形成，所述方式使所述碳外涂层的位于所述磁性层的所述构成磁记录区域的凸起上的部分的厚度大于所述碳外涂层的位于所述磁性层的所述构成边界区域的凹陷上的部分的厚度。

8.根据权利要求7的用于制造磁记录介质的方法，其中对连续的磁性层中的将被形成为所述边界区域的区域进行离子铣削以形成包括所述构成磁记录区域的凸起和所述构成边界区域的凹陷的磁记录图形，然后，在所述磁性层上形成所述连续的保护性碳外涂层。

9.根据权利要求8的用于制造磁记录介质的方法，其中，在通过离子铣削连续的磁性层中的所述区域而形成具有磁记录图形的所述磁性层的步骤之后但在形成所述保护性碳外涂层的步骤之前，通过将经离子铣削的边界区域暴露到反应性等离子体或反应性离子或者通过在经离子铣削的边界区域中进行离子注入来进行对所述边界区域的磁特性改性的步骤，其中所述磁记录图形包括所述构成磁记录区域的凸起和所述构成边界区域的凹陷。

10.一种用于制造磁记录介质的方法，该方法包括依次实施的下列步骤(a)到(f)：

(a)在非磁性基底的表面上形成连续的磁性层；

(b)在所述磁性层上形成用于形成磁记录图形的掩模层；

(c)对所述掩模层进行构图；

(d)在所述掩模层保留在将被形成为磁记录区域的区域上的同时，对所述磁性层中的将被形成为用于分离所述磁记录区域的边界区域的区域进行离子铣削，由此在所述磁性层中形成构成所述磁记录区域的凸起和构成所述边界区域的凹陷；

(e)去除所述掩模层；以及然后

(f)通过CVD方法以这样的方式在所述磁性层上形成连续的保护性碳外涂层，所述方式使所述碳外涂层的位于磁性层的所述构成磁记录区域的凸起上的部分的厚度大于所述碳外涂层的位于磁性层的所述构成边界区域的凹陷上的部分的厚度。

11.根据权利要求10的用于制造磁记录介质的方法，其还包括在所述离子铣削步骤(d)之后但在所述掩模层去除步骤(e)之前对磁性层的所述边界区域的磁特性改性的步骤，其中将经离子铣削的边界区域暴露到反应性等离子体或反应性离子，或者在经离子铣削的边界区域中实施离子注入。